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近年來,在工業設備、太陽能電池、電動車以及鐵路等電力電子技術領域,與Si元件相比,電力轉換時損耗少、材料性能卓越的SiC元件/模塊的實際應用備受期待。羅姆于2010年成功實現了SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種SiC元件的量產,于2012年3月在世界上率先成功將“全SiC”功率模塊投入量產等等,產品開發在行業中遙遙領先。
如今,SiC-SBD已經逐漸在世界范圍內廣泛量產,但形成通態損耗的正向電壓長期維持在1.5V的狀態,市場上為了追求更低損耗,要求降低正向電壓。
通常,正向電壓降低反向漏電流就會增加,羅姆通過改善工藝和元件構造,在確保極低漏電流的基礎上成功降低了正向電壓。特別是正向上升電壓較低,有望改善一般使用頻率較高的低負載狀態下的效率。
高速開關、低VF、與傳統的Si產品相比損耗顯著降低
不僅實現了只有SiC才能實現的高速開關,而且與傳統的Si材質快速恢復二極管相比,正向電壓降低了10%,非常有助于各種設備實現更低功耗。
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