意法半導體’的600~650V IGBT為工作頻率高達100 kHz的應用提供的最大集電極電流范圍為3~150A。 提供了多種版本，并且帶有專用內置式反向并聯二極管以實現設計優化。 利用意法半導體’獲得專利的標準沖壓穿透PowerMESH技術和新引進的溝槽柵場終止技術來實現該電壓范圍。
這些600~650V IGBT的目標應用包括家用電器、感應加熱、光伏、UPS、焊接和照明。 提供的封裝選項包括D2PAK、DPAK、ISOTOP、Max247、TO-220、TO-220FP、TO-247、TO-247長引線和TO-3PF。
650 V溝槽柵場終止IGBT
場終止技術基于回注式集電極和緩沖器層，能夠在關斷時作出快速而緊密的反應。TGFS IGBT還采用了溝槽柵技術，提高了溝道密度，降低了傳導損耗，大幅提高了效率。此外，TGFS允許降低晶片厚度，提升了晶體管的熱性能，提高了可靠性，簡化了熱管理設計。
主要受益:
最低總功率損耗實現更高的節能
最低的關斷損耗(Eoff)同時實現更高的開關速度
簡單并聯使用以實現功率擴展
175oC的結溫,具有更高的耐用性和可靠性
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