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2013年度編輯推薦獎
 


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廠商Logo
廠商名稱(中文) 羅姆
廠商名稱(英文) ROHM
公司網址 www.rohm.com.cn
參與評選類別 最佳無源器件
產品名稱 無肖特基勢壘二極管的SiC-MOS模塊
產品型號
產品圖片
參選公司簡介

羅姆(ROHM)是全球著名半導體廠商之一,創立于1958年,是總部位于日本京都市的跨國集團公司。"品質第一"是羅姆的一貫方針。我們始終將產品質量放在第一位。無論遇到多大的困難,都將為國內外用戶源源不斷地提供大量優質產品,并為文化的進步與提高作出貢獻。

歷經半個多世紀的發展,羅姆的生產、銷售、研發網絡遍及世界各地。產品涉及多個領域,其中包括IC、分立半導體、光學半導體、被動元件以及模塊產品。在世界電子行業中,羅姆的眾多高品質產品得到了市場的許可和贊許,成為系統IC和最新半導體技術方面首屈一指的主導企業。

羅姆十分重視中國市場,已陸續在全國設立多家代表機構,在大連和天津先后開設工廠,并在上海和深圳設立技術中心和品質保證中心提供技術和品質支持。

網址:www.rohm.com.cn

參選產品簡介

該模塊內置的功率半導體元件全部由SiC-MOSFET構成,尚屬業界首次※。額定電流提高到180A,應用范圍更廣,非常有助于各種設備的低功耗化、小型化。 ※根據羅姆調查(截至2012年12月12日)

1) MOS單體即可保持開關特性不變。無尾電流,開關損耗更低;

即使去掉SBD亦可實現與以往產品同等的開關特性。由于不會產生Si-IGBT中常見的尾電流,損耗可降低50%以上,有助于設備更加節能。另外,達到了Si-IGBT無法達到的50kHz以上的開關頻率,因此,還可實現外圍設備的小型化、輕量化。

2) 可逆向導通,實現高效同步整流電路;

一般Si-IGBT元件無法逆向導通,而SiC-MOSFET可通過體二極管實現常時逆向導通。另外,通過輸入柵極信號,還可實現MOSFET的逆向導通,與二極管相比,可實現更低電阻。通過這些逆向導通特性,與二極管整流方式相比,可在1000V以上的范圍采用高效同步整流方式的技術。

3) 成功解決體二極管的通電劣化,通電時間達1000小時以上且無特性劣化;

羅姆究明了體二極管通電的缺陷擴大機理,通過工藝、元件結構成功控制了產生劣化的因素。一般產品通電時間超過20小時導通電阻就會大幅增加,但本產品通電時間達1000小時以上導通電阻也不會增大。

應用領域

工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器。