該模塊內置的功率半導體元件全部由SiC-MOSFET構成,尚屬業界首次※。額定電流提高到180A,應用范圍更廣,非常有助于各種設備的低功耗化、小型化。
※根據羅姆調查(截至2012年12月12日)
1) MOS單體即可保持開關特性不變。無尾電流,開關損耗更低;
即使去掉SBD亦可實現與以往產品同等的開關特性。由于不會產生Si-IGBT中常見的尾電流,損耗可降低50%以上,有助于設備更加節能。另外,達到了Si-IGBT無法達到的50kHz以上的開關頻率,因此,還可實現外圍設備的小型化、輕量化。
2) 可逆向導通,實現高效同步整流電路;
一般Si-IGBT元件無法逆向導通,而SiC-MOSFET可通過體二極管實現常時逆向導通。另外,通過輸入柵極信號,還可實現MOSFET的逆向導通,與二極管相比,可實現更低電阻。通過這些逆向導通特性,與二極管整流方式相比,可在1000V以上的范圍采用高效同步整流方式的技術。
3) 成功解決體二極管的通電劣化,通電時間達1000小時以上且無特性劣化;
羅姆究明了體二極管通電的缺陷擴大機理,通過工藝、元件結構成功控制了產生劣化的因素。一般產品通電時間超過20小時導通電阻就會大幅增加,但本產品通電時間達1000小時以上導通電阻也不會增大。
應用領域
工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器。
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