- CoolGaN? SG HEMT與CoolGaN? GIT HEMT
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用于驅動CoolGaN? SG HEMT與CoolGaN? GIT HEMT
用于驅動CoolGaN? SG HEMT與CoolGaN? GIT HEMT
2EDL501XAA-U2D - 120 V半橋GaN/LLFET柵極驅動
2EDL501XAA-U2D 優化中壓 GaN HEMT 的運行可靠性與動態性能，確保器件在高頻工況下實現穩健、高效的工作表現。
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- 產品特性
2EDL501XAA-U2D 優化中壓 GaN HEMT 的運行可靠性與動態性能，確保器件在高頻工況下實現穩健、高效的工作表現。
電機驅動應用中GaN HEMT的驅動挑戰 使用2ED21064S06J等分地驅動器的優勢
• 電機驅動板通常具有較大的接地環路，用于連接功率器件和直流母線星形中點。這對于閾值電壓較高的IGBT或MOSFET來說問題不大，但對于閾值電壓較低的GaN HEMT則非常具有挑戰性。
• 使用單地柵極驅動器時，功率電流和柵極電流會重疊，因此分流電阻和寄生電感上的壓降會直接影響柵極電壓。
• 使用分地驅動器時，可以有效解耦功率電流與柵極電流。柵極電壓（VGS = LO-COM）不再受分流電阻和寄生電感產生的壓降影響，從而實現更穩定的驅動。因此，我們推薦在電機驅動應用中使用2ED21064S06J等分地驅動器。
• 單地驅動器更適合用于地環路較窄的應用，例如開關電源，或采用4層PCB的設計。
• 使用單地柵極驅動器時，功率電流和柵極電流會重疊，因此分流電阻和寄生電感上的壓降會直接影響柵極電壓。
• 使用分地驅動器時，可以有效解耦功率電流與柵極電流。柵極電壓（VGS = LO-COM）不再受分流電阻和寄生電感產生的壓降影響，從而實現更穩定的驅動。因此，我們推薦在電機驅動應用中使用2ED21064S06J等分地驅動器。
• 單地驅動器更適合用于地環路較窄的應用，例如開關電源，或采用4層PCB的設計。
