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飛兆半導體公司專為功率及移動設計提供高能效、易于使用及高增值的半導體解決方案。飛兆半導體擁有業界最廣泛而全面的產品種類，功耗范圍從1W到1200W以上，能夠最大限度地提高電子設備如PDA、智能手機、筆記本電腦、智能筆記本、上網本、高分辨率平板顯示器和監視器、DVD、機頂盒、電源、電池組、電源適配器、馬達控制和工廠自動化、點火和引擎管理、照明系統等的能效。

飛兆半導體與領先的電子產品制造商客戶密切合作，了解未來產品的功率設計挑戰，再綜合不同的解決方案，從而最大限度地減少電力需求，為客戶帶來能滿足功效、噪聲或其他政府法規要求的優點。

飛兆半導體一直堅守以客為尊的信念，幫助客戶開發與眾不同的產品，并以飛兆半導體在功率和信號路徑產品上的專業知識解決客戶遇到的技術困難。

電源工程師一直面對減小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰，而在筆記本電腦、負載點、服務器、游戲和電信應用中，上述兩點尤為重要。飛兆半導體 FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊則能夠幫助設計人員應對這些挑戰。

FDMS36xxS系列器件在PQFN封裝中結合了控制和同步MOSFET，以及一個肖特基體二極管。這些器件的開關節點已獲內部連接，能夠輕易進行同步降壓轉換器的布局和走線。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET?)(Q2)經專門設計，為高達30A的輸出電流實現最佳功效。FDMS36xxS系列將上述器件集成在一個模塊中，可替代兩個或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封裝，有效減少線路板空間。

FDMS36XXS系列產品采用飛兆半導體先進的電荷平衡架構(屏蔽柵極技術)和先進封裝技術，可在高性能計算的額定擊穿電壓下，獲得低于2mΩ的業界領先低端RDS(ON) 。該系列產品經過優化，以便最大限度地減小300kHz至600KHz范圍的綜合傳導損耗和開關損耗，為負載點和多相同步降壓DC-DC應用帶來可靠的最高功效。

FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET使用獨特的屏蔽電壓調制架構和超低源極電感封裝設計，具有低開關噪聲、低設計變化敏感度和較高的設計可靠性。低開關噪聲可以省去需要外部緩沖器或柵極電阻的緩減設計，從而降低設計BOM成本并且節省額外的線路板空間。