在過去的13年中，英飛凌功率半導體產品- CoolMOSTM，超級結（SJ）高壓MOSFETs, thinQ! TM 碳化硅肖特基二極管，OptiMOSTM，低壓MOSFETs，和現在的CoolMOSTM CFD2 SJ 650V MOSFETs-都是該哲學的典型事例。
CoolMOSTMCFD2 是基于具有革命意義的超結原理之上，是英飛凌第七代高壓功率MOSFETs。該系列是市場上首例將快速體二極管集成在650V 具有超結技術的MOSFET之上， 同時也聯合了極低的導通電阻，最佳導通電阻達41毫歐。 由此產生的CFD2器件在硬切換的情況下得以限制電壓過沖，同時也減小了導通損耗。同前一代的CFD的產品相比，CFD2大大降低了Qg,因而能夠節省MOSFETs的驅動功率。這點在高頻零電壓開關的拓撲上至關重要。通常來說，MOSFET導通電阻是隨著結溫的升高而增大的。但是，由于CFD2 采用的是最新的技術，使得導通電阻的變化范圍會更加狹小。
基于以上提到的特點，CFD2系列MOSFET 可以較好的用于移相零電壓開關的拓撲，LLC 拓撲，和三電平拓撲。它對于通信整流器，服務器電源，UPS 和太陽能電源產品應用至關重要。
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