認識GaN EiceDRIVER?高速柵極驅動器
- 核心優勢
- 柵極驅動器
- 產品組合
- CoolGaN? GIT HEMT技術
四大核心優勢
1. 極簡設計賦能：集成自舉二極管、有源米勒鉗位等多維度功能，降低 BOM 成本、縮減 PCB 空間，縮短研發周期
2. 全場景適配：覆蓋非隔離 / 電平轉換 / 電氣隔離三大類型，完美驅動 CoolGaN? SG/GIT HEMT 及 SiC、IGBT 等功率器件
3. 極致穩健防護：快速短路保護（DESAT）、欠壓鎖定（UVLO）、高邊負電壓耐受等多重防護，杜絕寄生導通
4. 高頻高效突破：支持≥1MHz 高頻應用，傳輸延遲低，助力系統效率提升至 97% 以上
四大核心驅動技術
? 無芯變壓器（CT）技術：增強隔離，UL/VDE 認證，磁耦合傳輸信號，性能可靠
? 電平轉換 SOI 技術：高壓單片設計，抗負瞬態尖峰，無閂鎖效應
? 電平轉換結隔離（JI）技術：高性價比，業界驗證標準工藝
? 非隔離（N-ISO）技術：單片接地參考，支持高達 35V 電壓
GaN EiceDRIVER?高速柵極驅動器
每個開關管都需要一個驅動器——合適的驅動器產生的效果會不同
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柵極驅動器 IC 充當控制信號（數字或模擬控制器）和電源開關（IGBT、MOSFET、SiC MOSFET 和 GaN HEMT）之間的接口。與分立實現的柵極驅動器解決方案相比，集成柵極驅動器 IC 可降低設計復雜性、開發時間、物料清單 (BOM) 和電路板空間，同時提高可靠性。強大的EiceDRIVER?柵極驅動保護功能，如快速短路保護 (DESAT)、有源米勒鉗位、擊穿保護、故障、關斷和過流保護，使這些驅動器 IC 非常適合硅和寬禁帶功率器件，包括 CoolGaN? 和 CoolSiC?。
EiceDRIVER?柵極驅動器IC技術
英飛凌和國際整流器公司憑借數十年的應用專業知識和技術開發，推出了一系列柵極驅動器集成電路 (IC)，從簡單、經濟高效的解決方案到功能齊全的先進集成電路 (IC)。我們的四項技術使這種多樣性成為可能。
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無芯變壓器（CT）技術是一種集成片上變壓器的磁耦合、電隔離技術。變壓器在輸入和輸出芯片之間傳輸開關信息和信號。這些柵極驅動器功能齊全、性能可靠，并且具有增強隔離功能，并已通過 UL 和 VDE 認證。
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電平轉換絕緣體上硅 (SOI)技術可實現堅固的高壓單片 IC 設計。SOI 提供低歐姆、集成自舉二極管、針對負瞬態電壓尖峰的保護，并消除導致閂鎖效應的寄生晶體管。
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電平轉換結隔離 (Junction Isolation)技術是經過業界驗證的標準 MOS/CMOS 工藝。我們的高壓集成電路 (HVIC) 和防閂鎖 CMOS 技術可實現具有最佳性價比的單片結構。
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非隔離 (N-ISO)技術可實現高達 35 V 的單片接地參考柵極驅動器
GIT與SG GaN HEMT的柵極驅動產品組合
EiceDRIVER? 升級版
CoolGaN? GIT HEMT技術
極致效率與可靠性簡潔的柵極驅動方案
