隨著USB PD快充及高通QC4+快充的普及，目前市面上已有多款設備支持了USB PD快充，現在，驪微電子為你們推薦節省10顆外圍的極簡BOM、具成本優勢的PN8161+PN8307H 18W PD快充方案。

PN8161內部集成了準諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了極為全面和性能優異的智能化保護功能，包括輸出過壓保護、周期式過流保護、過載保護、軟啟動功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調制技術和特殊器件低功耗結構技術實現了超低的待機功耗、全電壓范圍下的最佳效率。頻率調制技術和SoftDriver技術充分保證良好的EMI表現。

PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系統中替代次級整流肖特基二極管。PN8307H內置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力，提升轉換效率，使得系統效率可以滿足6級能效的標準，并留有足夠的裕量。PN8307H集成了極為全面的輔助功能，包含輸出欠壓保護、防誤開啟、最小導通時間等功能。

18W功率的PD充電器方案原理圖：

18W PD快充電源方案PN8161+PN8307H方案特性：

輸入電壓：90~265Vac

輸出功率：18W

輸出規格：12V1.5A；9V2A；5V3A

平均效率：滿足CoC V5-2，4個點裕量

PCBA尺寸：48.0mm*36.0mm*14mm

擁有市電Brown in/out、輸出過壓保護、精準過溫保護、逐周期過流保護、次級整流管短路保護等。

PN8161+PN8307H 18W PD快充方案亮點：

節省10顆以上外圍： 無啟動電阻、無CS偵測網絡，原副邊均實現SOP8功率集成；

滿足CoC V5 Tier 2：專利高壓啟動，實現30mW待機功耗；工作曲線隨輸出電壓自適應，不同輸出電壓下平均效率裕量均大于4個點；

EMC性能卓越：抖頻幅度隨負載自適應，改善傳導；DCM/QR工作模式，避免次級整流管反向恢復問題，改善輻射；

3.3~12V寬輸出電壓范圍：PN8161/PN8307H供電范圍寬，無需額外LDO穩壓；

協議芯片任意搭：SSR架構，方案易滿足PD3.0/QuickCharge 4+。

目前，18W PD快充方案已經量產出貨，并得到了市場的高度認可和支持，同時18W PD快充方案支持12V1.5A；9V2A；5V3A輸出規格，擁有更高效的供電能力，傳輸速率最快，有效的解決了手機快速充電續航等問題，如果需要產品的詳細資料，可向驪微電子申請。。。。