三星開始自研GPU計劃，預計未來在Galaxy S系列手機上搭載

積極發展晶圓代工業務，挑戰臺積電之外，在自研芯片業務上，除了目前既有的 Exynos 處理器與基頻芯片之外，目前更加觸角延伸到繪圖芯片（GPU），預計未來三星的 Galaxy S 系列智能型手機將會搭載自行研發的繪圖芯片。

根據韓國媒體《BusinessKorea》報導，繪圖芯片的重要性是除了在智能型手機上不可或缺的重要零組件之外，還是發展人工智能（AI）的關鍵設備。因此，自 2018 年開始，就有消息指出，三星計劃開發自家的繪圖芯片，并且搭載在三星的 Galaxy 系列智能型手機。事實上，由當前三星在美國奧斯汀研發中心新的征才內容中可發現，目前該中心正在征求具備繪圖芯片開發專業知識的員工，因此這項計劃的確在進行中。

報導進一步指出，目前正使用 ARM 架構繪圖芯片的三星，搭配自家 Exynos 處理器時，因架構的繪圖芯片占據太多 Exynos 處理器空間。與高通或蘋果處理器相較，三星 Exynos 處理器性能相對落后。為改善這情況，三星期望在 2020 年與 ARM 合約到期之后，開始使用自家研發的繪圖芯片，并在 Galaxy S 系列智能手機搭載測試。

而除了藉由自行研發的繪圖芯片來改善自家的 Exynos 處理器效能之外，三星自行研發的繪圖芯片還有一個重要目的，那就是搶攻人工智能及自駕車的芯片市場。

報導表示，這兩塊市場都是未來半導體發展的重要區塊，尤其是在目前由英偉達（NVIDIA）主導的自駕車市場，市場規模將由 2018 年的 256 億美元，成長至 2023 年的 355 億美元，成長率高達 35.8%，這也是三星希望能積極搶攻的市場。

SK海力士出貨96層 1Tb QLC 4D NAND 樣品

3D NAND 堆棧發展至 96 層，這是接下來一段時間內的市場主流。

2018 年底，SK Hynix（SK海力士）發表 96 層堆棧快閃存儲器，是為 TLC 類型、單一裸晶容量 512Gb（64GB）產品，還特地取了個有意思的 4D NAND 名詞（本質和 3D NAND 相仿）。SK Hynix 當時曾預告，在 2019 年也就是今年的某個時間點，自家 96 層堆棧產品技術發展將進入另一個階段，容量會倍增至 1Tb（128GB）。

SK Hynix 剛實現了這點，官方宣布 96 層、1Tb 樣品已經備妥，正陸續出貨提供給予主要的控制器、固態硬盤制造商。不過首波 1Tb 樣品屬于 QLC 類型，基于 4D NAND 架構設計具有 4 個平面（Plane）、區塊容量 64KB，這數量規劃 2 倍于典型快閃存儲器（2 plane、32KB 之類規格），SK Hynix 強調這是確保性能的關鍵。

此外，SK Hynix 自己也投入 QLC 所適用控制器與韌體等開發，計劃在 2020 年推出自有品牌企業級固態硬盤。SK Hynix 將致力于提升儲存密度，除了以追上硬盤 16TB 之類容量作為目標，更希望能夠吸引企業舍硬盤就固態硬盤。