佳能將于2021年3月發售新型光刻機“FPA-3030i5a”，該設備使用波長為365納米的“i線”光源，支持直徑從2英寸（約5厘米）到8英寸（約20厘米）的小型基板。分辨率為0.35微米，更新了測量晶圓位置的構件和軟件。這是其i-line（365nm波長）步進式光刻系統系列的最新產品，支持包括化合物半導體在內的器件制造。新系統的設計還有助于降低擁有成本。
       FPA-3030i5a步進式光刻機設計用于處理直徑在50mm（2英寸）至200mm（8英寸）之間的小型襯底。它不僅支持硅晶圓，還支持碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等常見的化合物半導體材料，這有助于制造各種未來可能出現需求增長的器件，例如用于汽車電氣化的大功率器件和用于5G通信的高帶寬視頻處理和通信器件。

FPA-3030i5a步進式光刻機的硬件和軟件已在其前代產品FPA-3030i5步進式光刻機（2012年6月發布）基礎上進行了升級，以幫助降低CoO。FPA-3030i5a繼承了FPA-3030i5的解像力，可以曝光0.35μm3的線寬圖案，同時提供了強大的對準選項并提高了生產效率。新系統采用高速晶圓進給系統，可配置處理各種晶圓材料和尺寸，包括直徑為50-200mm的化合物半導體。
FPA-3030i5a采用新的離軸對準范圍來照亮和測量晶圓對準標記。不用通過投影透鏡觀察標記，對準系統可以采用寬范圍的照明波長來幫助優化對準條件。配備有可選的通硅對位（TSA）系統的FPA-3030i5a步進式光刻機也可以利用紅外光透過襯底進行背面對準。新的對準系統還縮短了對準標記測量時間。
縮短的對準時間、高速的進給系統和升級的軟件使FPA-3030i5a對200mm(8英寸)晶圓實現了123片/小時(wph)的產出，與上一代產品相比，生產效率提高了約17％。新光刻機還采用了新的腔室溫度控制系統，可使光刻系統保持在清潔的環境和恒定的溫度水平。與前代機型相比，新設計有助于降低約20％的功耗，并且通過這種改進，該系統有助于降低CoO。
佳能總結說，通過引進FPA-3030i5a和使用其先進功能，該系統擁有者能夠用尺寸從50mm到200mm的、包括硅和SiC、GaN等化合物半導體在內的多種晶圓材料，制造特種電源和通信設備。

在半導體光刻機領域，荷蘭ASML和日本的佳能、尼康3家企業占據了全球9成以上的份額。在促進提升半導體性能的精細化領域，可使用短波長的“EUV”光源的ASML目前處于優勢地位。佳能光學設備業務本部副業務部長三浦圣也表示，佳能將根據半導體材料和基板尺寸等客戶制造的半導體種類來擴大產品線。按照客戶的需求，對機身及晶圓臺等平臺、投影透鏡、校準示波器三個主要單元進行開發和組合，建立齊全的產品群。  佳能還致力于研發“后期工序”（制作半導體芯片之后的封裝加工等）中使用的光刻機。2020年7月推出了用于515毫米×510毫米大型基板的光刻機。以此來獲取把制成的多個芯片排列在一起、一次性進行精細布線和封裝的需求。佳能還致力于“納米壓印”（將嵌有電路圖案的模板壓在硅晶圓的樹脂上形成電路）光刻設備的研發。據悉還將著力開展新一代生產工藝的研發。