久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

博客專欄

EEPW首頁 > 博客 > 三星:Q2存儲業務量價齊升,庫存已處于低位水平,下半年風險與機遇并存

三星:Q2存儲業務量價齊升,庫存已處于低位水平,下半年風險與機遇并存

發布人:閃存市場 時間:2021-08-12 來源:工程師 發布文章

近日三星公布了截至2021年6月30日的二季度財報業績,報告顯示,由于服務器與高端家電市場的強勁需求,三星Q2綜合營收達63.67萬億韓元(約合555億美元),同比增長20%,創下二季度營收紀錄。

另外,由于存儲產品向先進制程迭代,本季度三星利潤成長顯著,其中,營業利潤12.57萬億韓元(約合109.6億美元),環比增長34%,同比增長54.2%;凈利潤達9.63萬億韓元(約合84億美元),環比增長34.9%,同比增長73.2%。

微信圖片_20210812203811.png

來源:三星

資本支出方面,三星Q2資本支出達13.6萬億韓元(約合118.6億美元),其中12.5萬億韓元(約合109億美元)用于半導體,0.6萬億韓元(約合5.2億美元)用于顯示器。上半年資本支出總額為23.3萬億韓元(約合203億美元),其中半導體為20.9萬億韓元(約合182億美元),顯示器為1.4萬億韓元(約合12億美元)。其對存儲業務的投資主要用于容量擴展和先進工藝研發領域。

按照部分劃分:

消費電子部門:營業收入13.4萬億韓元(約合117億美元),同比增長32%;營業利潤1.06萬億韓元(約合9億美元);

信息技術和移動通信部門:營業收入22.67萬億韓元(約合198億美元),其中手機營收21.43萬億韓元(約合187億美元),環比下滑24%,同比增長8%;

設備解決方案部門:營業收入29.46萬億韓元(約合257億美元),其中存儲業務營收17.88萬億韓元(約合156億美元),環比增長24%,同比增長22%;

Harman部門:營業收入2.42萬億韓元(約合21億美元),同比增長57%,環比增長2%。

產品成本優化+量價齊升,半導體貢獻超55%營業利潤

由于服務器、PC市場需求表現強勁,加上DRAM和NAND芯片平均售價上漲強于預期,以及三星積極推動先進制造工藝導致成本降低,使得三星半導體利潤成長。財報顯示,Q2半導體部門營業利潤達6.93萬億韓元(約合60億美元),占三星合計營業利潤55%。

盡管由于零部件短缺以及全球主要智能手機生產基地因疫情反復導致產能受阻,導致智能手機出貨量下滑,然而,單個設備存儲容量有所提升,加上主要客戶需求不斷增長;另外,由于數據中心企業對服務器投資增長以及PC強勁需求,SSD出貨量有所增長,整體上NAND Flash bit出貨量也超過此前預期,而128層V6產品出貨比例增加。

綜合來講,三星預計今年全年NAND Flash bit增長在40%左右,DRAM bit增長在20%左右,三星供應增長將于市場增長保持一致。

另外,三星指出,由于二季度NAND Flash和DRAM出貨量均強于預期,因此,當前庫存水位都處于相當低的水平。

三星將于下半年量產基于EUV工藝的14nm DRAM和基于176層NAND Flash消費類SSD

對于下半年市場****,三星則認為風險與機遇并存。一方面,三星預計零部件供應短缺問題,以及疫情反復和地緣政治風險依舊持續存在。另一方面,三星預計下半年需求面依舊強勁。

首先,隨著5G普及率提升、新款智能手機發布,以及高存儲密度機型增加,移動存儲市場需求有望回升;另外,隨著疫苗接種率提升和經濟刺激政策,數據中心企業對服務器投資情緒有望復蘇;另外,隨著混合工作模式普及,企業級客戶對PC的需求表現強勁,加上新款CPU上市,替代需求也會較為穩定。

另外,三星將進一步鞏固其在尖端芯片技術方面的領先地位,DRAM方面,三星推動向15nm DRAM產能轉換,并將于下半年開始實現基于EUV的工藝的14nm DRAM量產,并擴大EUV技術在DRAM制造中的應用;

NAND Flash方面,三星將在下半年擴大128層3D NAND芯片生產比例,并開始量產基于雙堆棧176層第7代V-NAND的消費級固態硬盤,此外,三星表示,其第8代V NAND產品可能會超過200+層堆疊。 

*博客內容為網友個人發布,僅代表博主個人觀點,如有侵權請聯系工作人員刪除。

基爾霍夫電流相關文章:基爾霍夫電流定律




關鍵詞: 存儲

相關推薦

技術專區

關閉