據韓媒報道，三星電子位于京畿道平澤市的P3工廠已經進入到基礎設施投放的環節。據悉，這座混合了NAND、DRAM和晶圓代工產線的工廠將率先開始NAND產線建設，DRAM和晶圓代工隨后同時開建。

三星P3工廠于2020年開始投入建設，建筑許可面積約70萬平方米。目前正在準備一條176層3D NAND生產線，初期月產能約10K。

另外，報道稱，三星電子將于6、7月份開始建設基于EUV技術的14nm制程DRAM生產線以及3nm晶圓代工產線，相關設備也將及時導入。

業內人士表示，三星電子今年的投資熱情相較去年更加高漲。除P3工廠之外，三星的P4工廠可能也在今年開始建設；位于美國德州奧斯丁的晶圓代工廠預計也將在今年上半年開工；另外，三星電子也將在今年下半年增加P2工廠生產設備，填補空間。