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西部數據公布閃存技術路線圖,下一代BiCS7預計將達到212層堆疊!

發布人:閃存市場 時間:2022-05-23 來源:工程師 發布文章

近日,西部數據高管在投資者活動日中公布了其SSD產品路線圖,并預言3D NAND即將進入200+層堆疊,西部數據稱其為BiCS+。對于BiCS 7的堆疊層數,西部數據表示此前預計將達到212層。


據介紹,BiCS+每晶圓bit數量將比162層BiCS6多出55%,傳輸速度提高60%,程序帶寬提高15%。另外,西部數據技術路線圖顯示將在2032年達到500+層堆疊。


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對于3D NAND閃存芯片而言,提升存儲密度的主要方法無異于增加堆疊層數和減小單位存儲單元尺寸。西部數據資料顯示,其單位存儲單元尺寸降低40%,橫向存儲密度就提升10%。


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隨著固態硬盤逐漸替代機械硬盤,西部數據認為消費類SSD市場潛力巨大,預計從2023年到2026年,消費類SSD復合年增長率超過45%。預計到2026年,消費類SSD市場份額與HDD市場份額之比將達到7:3。


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西部數據介紹,其SSD產品應用于消費類、客戶端、數據中心企業級以及汽車和物聯網領域。其中,在消費類SSD領域市場份額約37%,客戶端領域市場份額約20%,數據中心企業級領域市場份額約8%。總體而言,西部數據整體SSD市場份額目標為14-16%。


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關鍵詞: 存儲

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