美光宣布，采用其1β DRAM制程節點的合格樣品將交付給選定的智能手機制造商和芯片組合作伙伴，并已與世界上最先進的DRAM技術節點實現批量生產準備。美光將在LPDDR5X產品首次推出下一代工藝技術，最高速度可達8.5 Gb/s。

1β制程節點在性能、比特密度和功率效率方面都有顯著的提高。移動產品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消耗更少的電力。對于支持從智能車輛到數據中心的高響應應用程序、實時服務、個性化和情境化體驗同樣至關重要。

作為世界上最先進的DRAM工藝節點，1β代表了美光市場領先地位的提升，并與1α技術節點的批量發貨緊密相連。該節點在每片16Gb的容量下實現了約15%的能效提升和超過35%的位密度提升。

來源：美光

這一里程碑也緊隨美光7月份推出全球首款232層NAND之后，該產品的設計旨在提高存儲的前所未有的性能和面密度。憑借這些新的第一，美光繼續在存儲器和存儲創新領域引領市場步伐，這兩項創新都基于美光在尖端研發（R&D）和制造工藝技術方面的深厚根基。

通過LPDDR5X的送樣，移動生態系統將率先獲得1βDRAM的顯著收益，這將解鎖下一代移動創新和高級智能手機體驗，同時降低功耗。憑借1β的速度和密度，高帶寬用例在下載、啟動和同時使用數據密集型5G和人工智能（AI）應用程序時將反應迅速、流暢。此外，基于1β的LPDDR5X不僅可以提高智能手機攝像頭的啟動、夜間模式和人像模式的速度和清晰度，還可以實現無抖動、高分辨率的8K視頻錄制和直觀的手機視頻編輯。

1β制程節點的低功耗，為智能手機提供了市場上最節能的存儲技術。這使得智能手機制造商能夠設計出電池壽命更高效的設備，這對于消費者在使用耗能、數據密集型應用程序的同時延長電池壽命至關重要。

通過在基于1β的LPDDR5X上實現新的JEDEC增強的動態電壓和頻率縮放擴展核心（eDVFSC）技術，還可以實現節能。以高達3200 Mbps的雙倍頻率層添加eDVFSC提供了改進的節能控制，以實現基于獨特最終用戶模式的更高效的電力使用。

美光通過精密的光刻和納米制造挑戰物理定律

Micron 1β節點以更小的占地面積提供更高的內存容量，從而降低每bit數據的成本。DRAM的規模很大程度上取決于每平方毫米半導體面積提供更多更快的內存的能力，這需要縮小電路，以便在大約指甲大小的芯片上容納數十億個存儲單元。對于每個工藝節點，半導體行業幾十年來每年或二十年都在縮減器件；然而，隨著芯片越來越小，在晶片上定義電路圖案需要挑戰物理定律。

雖然該行業已經開始轉向一種使用極紫外光來克服這些技術挑戰的新工具，但美光已經利用其已被證實的前沿納米制造和光刻技術，繞過了這一新興技術。要做到這一點，需要應用公司專有的、先進的多圖案技術和浸沒能力，以最高的精度對這些微小的特征進行蝕刻。這種創新帶來的更大容量也將使智能手機和物聯網設備等外形尺寸較小的設備能夠在緊湊的空間中容納更多內存。

3年多來，美光進一步投資數十億美元，將其晶圓廠改造為先進、高度自動化、可持續和人工智能驅動的設施。這包括對美光在日本廣島的工廠的投資，該工廠將在1β上大規模生產DRAM。

1β DRAM將應用于嵌入式、數據中心、客戶端、消費者、工業和汽車領域

Micron的1β DRAM節點為互聯世界的發展提供了一個通用的基礎，互聯世界需要快速、無處不在、節能的存儲器來推動數字化、優化和自動化。在1β上制造的高密度、低功耗存儲器能夠在數據密集的智能事物、系統和應用程序之間實現更高效的數據流，并實現從邊緣到云的更多智能。在未來一年，美光將開始在嵌入式、數據中心、客戶端、消費者、工業和汽車領域（包括圖形存儲器、高帶寬存儲器等）擴大1β的投資組合。