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佳能發布新型光刻機!顛覆ASML!

發布人:傳感器技術 時間:2023-10-16 來源:工程師 發布文章

10月13日消息,日本佳能宣布推出新型光刻設備:FPA-1200NZ2C納米壓印半導體制造設備!

受此消息影響,納米壓印概念股午后走高,匯創達午后開盤拉升漲超11%,美迪凱、晶方科技、利和興、蘇大維格等紛紛大幅拉升。

據佳能介紹,傳統的光刻設備通過將電路圖案投射到涂有抗蝕劑的晶圓上,而佳能此新產品通過在晶圓上的抗蝕劑上壓印有電路圖案的掩模來實現這一點,就像郵票一樣。

據了解,佳能的納米壓印光刻(Nano-Imprint Lithography,NIL)技術可實現最小線寬14nm的圖案化,相當于生產目前最先進的邏輯半導體所需的5nm節點。此外,隨著掩模技術的進一步改進,NIL有望實現最小線寬為10nm的電路圖案,相當于2nm節點。

資料顯示,納米壓印是一種微納加工技術,它采用傳統機械模具微復型原理。簡單來說,傳統的光刻設備通過將電路圖案投影到涂有抗蝕劑的晶圓上來轉移電路圖案,而納米壓印光刻造芯片則通過將印有電路圖案的掩模壓印在晶圓上的抗蝕劑上,就像印章蓋在橡皮泥上,然后經過脫模就能夠得到一顆芯片。


方消息顯示,佳能早在2004年開始秘密研發NIL技術,2014年美國分子壓印公司(現佳能納米技術)加入佳能集團,該研發消息才被公開。

來源:中國半導體論壇



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關鍵詞: 新型光刻機

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