場效應管（簡稱FET）和三極管（簡稱BJT）是兩種常見的半導體器件，它們具有不同的結構、工作原理和應用。以下是場效應管和三極管的主要區別：

1. 結構

場效應管（FET）：

場效應管有一個電場控制的通道，通常是N型或P型半導體材料。

主要包括源極、漏極和柵極。柵極通過電場控制通道的導通與關斷。

三極管（BJT）：

三極管由兩個PN結組成，具有三層半導體材料，通常是NPN或PNP結構。

主要包括發射極、基極和集電極。基極的電流控制發射極和集電極之間的電流。

2. 工作原理

場效應管（FET）：

通過施加電壓在柵極上控制電流的流動，而不需要驅動柵極電流。因此，它的輸入阻抗非常高。

三極管（BJT）：

通過在基極注入少量電流來控制較大電流的流動。基極電流的變化影響發射極和集電極之間的電流，輸出阻抗較低。

3. 控制方式

FET：電壓控制器件，通過柵極電壓控制通道的導電性。

BJT：電流控制器件，基極電流控制發射極與集電極間的電流。

4. 輸入阻抗

FET：輸入阻抗非常高（通常在幾兆到幾千兆哦姆），適合用于高輸入阻抗的電路。

BJT：輸入阻抗相對較低（通常在幾千到幾萬歐姆），在某些應用中會造成負載效應。

5. 開關速度

FET：通常具有較快的開關速度，適合高頻應用。

BJT：開關速度較慢，特別是在大功率和高頻環境下，回復時間較長。

6. 功耗

FET：由于是電壓控制，柵極沒有穩態電流，功耗較低。

BJT：基極電流在工作中始終存在，因此功耗相對較高。

7. 熱穩定性

FET：熱穩定性較好，溫度變化對其特性影響較小。

BJT：溫度變化可能導致熱失控現象，因此需要額外的散熱措施。

8. 應用

FET：常用于放大器、高頻開關電源、射頻電路等。

BJT：廣泛應用于音頻放大器、開關電路等。

總結來說，場效應管和三極管在結構、工作原理和特性上都有顯著不同。選擇哪種器件主要取決于具體應用需求，包括功率、頻率、輸入阻抗等因素。