圖3是一個緊鄰高頻源的IC等效電路及其模型。該模型顯示了與放大器輸入端相連的傳導路線和近場路線。

　　根據天線原理，長度小于載波頻率波長¼的傳導線可構成有效的天線。因此，當載波頻率為2.4 Ghz時，31.25毫米 (1.2英寸)長的PCB板上的線路就構成有效天線。評估板上的外接元件(即電容，電阻)也對于RF頻率也形成了接收天線。

　　圖3. 等效電路的行為模型

　　注：

　　l TRACE PARASITIC：傳導線寄生參數

　　l PCB CARD：PCB板

　　l LOW FREQUENCY CONDUCTED INTERFERENCE：低頻傳導干擾

　　l NEAR FIELD INTERFERENCE：近場干擾

　　l PACKAGE：封裝

　　l BOND WIRE：鍵合線

　　現在我們已經明白RF信號是如何耦合進入低頻音頻電路的，接下來讓我們回顧以前在遠場研究中所取得的成果。

　　一些論文討論了源自遠場天線的傳導干擾及其通過運算放大器對RF解調產生的影響[1,4-6]。同樣，在這些實驗中，RF調制信號被直接導入放大器的輸入管腳。實驗結果顯示：

　　1. 通過增加輸入電阻和反饋電阻的阻值，可以增大串聯電阻和寄生電容，從而提高反相運算放大器電路抗射頻干擾(RFI)的能力，RC(電阻和電容)構成了一個低通濾波器，防止干擾信號到達音頻放大器的輸入端[5]。

　　2. 寄生電容Cin(反相和同相輸入之間形成的電容)和CRg (穿過Rg)可使反相運算放大器電路的抗RFI能力比同相運算放大器電路強[6]。

　　3. 由于RF信號引起的集電極電流的變化高于MOS管漏電流的變化，MOS管比雙極型晶體管不易受RF信號的影響。事實上，由于雙極型晶體管的非線性特性，場效應管本身就比雙極型晶體管更不易受RFI的影響[4]。同時，大多數在音頻頻段工作的運算放大器是采用大陣列高電壓CMOS工藝制造，與采用相近電壓的雙極工藝相比，其RF信號帶寬更窄。

　　以前的研究結果認為，較高阻值的反饋電阻、使用RFI 電容以及采用本身線性特性更好的MOSFET輸入元件等，均可降低RFI。下面，我們在近場條件下對這些結論進行評估。

　　圖4顯示了用于研究近場干擾的評估電路板和天線位置。有關如何利用大多數高頻模擬實驗室都擁有的標準設備搭建測試平臺的詳細介紹，請參考Intersil網站(http://www.intersil.com/data/an/AN1299.pdf)中的應用說明AN1299。測試平臺產生以1kHz調制信號調制的RF信號掃頻源，利用該1kHz調制信號可以跟蹤輸入RF源信號至音頻放大器輸出端的信號的輸出。