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MMC型HVDC輸電系統子模塊的設計

作者: 時間:2013-03-11 來源:網絡 收藏

3 子模塊系統結構
SM功能框圖如圖3所示。電源POWER1和POWER2直接從支撐電容器取電,實現高位取能。POWER1輸出直流400 V電壓,為KM1的儲能電容供電,用于驅動旁路開關;POWER2提供+24 V輸出電壓,為模塊控制單元供電;模塊控制單元具有脈沖分配、信號采樣、故障保護、上層通訊等功能,實現SM級的控制與保護,同時輸出±15 V電源,為門極驅動電路和電壓傳感器供電;門極驅動電路和脈沖變壓器分別用于驅動IGBT和晶閘管。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/175872.htm

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4 支撐電容器電容參數的選取
支撐電容器電容參數的選取需從SM直流電壓穩態波動、暫態波動、直流系統動態響應特性等方面進行綜合考慮計算,并通過試驗驗證。
從抑制SM穩態電壓波動的角度分析,遵循能量平衡的原則,電容值的取值需滿足:
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電容值的取值會影響系統的有功功率調節動態響應時間,直流系統中采用定直流電壓控制的換流站直流端電壓一定,采用定有功功率控制的換流站端電壓必須跟隨有功功率指令,設調節時間為τ,則可得:
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在選取電容值時還需考慮SM暫態電壓波動及限制直流雙極故障電流等約束因素的影響。通常可根據式(1),(2)計算SM的電容值,再對其是否滿足其他約束條件進行驗證。

5 IGBT元件的選擇和損耗計算
IGBT的選擇需考慮系統額定電壓、額定電流、工作溫度等,其額定電壓和額定電流分別為:
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式中:k1為過電壓系數;k2為安全系數;Udmax為額定直流電壓最大值;Usp為關斷結束時的尖峰電壓;ICM為額定工作峰值電流;α1為電流尖峰系數;α2為溫度降額系數;α3為過載系數。



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