利用BJT開關(guān)的Marx型脈沖發(fā)生器
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3 納秒級Marx負脈沖發(fā)生器
在此利用BJT的擊穿特性設(shè)計的納秒級Marx負脈沖發(fā)生器如圖4所示。本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/175875.htm
該發(fā)生器由8級充放電回路組成，初級觸發(fā)開關(guān)采用MOSFET，可通過控制MOSFET的導通來控制輸出脈沖的頻率。其輸出電壓如圖5所示，其中輸入電壓為290 V，各級充電電阻和電容分別為3．3 kΩ和1 nF。以9個同型號BJT串聯(lián)作為負載，測量輸出電壓波形如圖5所示?？梢姡瑘D4中發(fā)生器輸出了一個峰值為2．3 kV，脈寬低于10 ns，下降沿為3 ns的極短負脈沖電壓信號。
4 結(jié)論
在此提出了利用雙極結(jié)型晶體管的極間擊穿特性來實現(xiàn)開關(guān)功能，并取代火花隙開關(guān)以達到提高頻率和設(shè)備小型化的要求。首先考察了雙極結(jié)型晶體管的開關(guān)特性，并設(shè)計出一個實驗用納秒級Marx負脈沖發(fā)生器，可實現(xiàn)幅值0～2 kV，脈寬低于10 ns，脈沖下降沿為3 ns的極短負脈沖。該發(fā)生器體積小，工作穩(wěn)定，適用于生物、醫(yī)藥等顯微操作的場合。
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