基于狀態空間法的非理想Boost電路開環建模
加入技術交流群
3 仿真及測試結果
選取Vg=12 V，L=330μH，C=47μF，RL=12 Ω開關頻率300 kHz，實測rC=50．1 mΩ，rL=53．2 mΩ。采用SG3525芯片產生PWM脈沖驅動MOSFET，占空比調節范圍0～50％。選取幾個典型占空比進行仿真，仿真得到的輸出電壓波形如圖4和圖5所示。本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/176081.htm
在不同占空比下輸出電壓的對比關系如表1所示。
表1中U1為狀態空間法仿真輸出電壓值，U2為電路仿真輸出電壓有效值，U3為實測電壓有效值。
4 結語
本文應用狀態空間平均法對電流連續模式下的非理想Boost變換器進行了開環狀態下的建模和仿真。將開關函數引入到狀態空間模型中，使變換器不同工作狀態下的狀態方程具有統一的形式，且使狀態方程的物理意義更加明確。從電路模型仿真和狀態空間法仿真結果可以發現，在滿足低頻假設，小紋波假設和小信號假設的前提下，應用狀態空間平均法的仿真結果與電路模型的仿真結果具有一致性，驗證了建模方法的正確性，對變換器的設計有一定指導意義。
dc相關文章:dc是什么
評論