圖2　TNY268P系列芯片內部結構框圖

1.3　外圍電路設計及主要參數計算

TNY268P系列芯片集成度高,內部保護功能較為完善,外圍電路設計比較簡單.它主要包括交流輸入濾波電路、功率變壓器、輸出反饋電路、輸入輸出整流濾波電路以及保護電路的設計計算.

1.3.1　功率變壓器的設計

1）磁芯選擇.高頻變壓器的設計包括功率變壓器的工作模式確定、磁芯尺寸形狀選擇、原/副邊繞組的參數計算及變壓器的繞制等.TinySwitch有連續、不連續和完全不連續3種模式.為了降低電磁干擾,減小輸出濾波電容的容量,本設計選擇不連續工作模式.為了滿足TNY268P芯片132kHz的工作頻率,減小泄漏磁場,選用低成本的EE22型錳鋅鐵氧體磁芯.

2）變壓器參數計算.

①確定最大占空比Dmax

式中,Pomax為總輸出最大功率;η為電源效率;VImin為初級繞組直流輸入電壓的最小值.

②計算KDP
　　
KDP表示TinySwitch的關斷時間與磁芯泄放能量時間的比例系數,其大小決定芯片的工作模式, KDP≥1工作在不連續模式.

式中,VOR為初級感應電壓.
　
③原副邊繞組的電感量及匝數.

　　
式中,fs為開關頻率.

式中,Al為磁芯的電感系數.同理可根據計算公式計算次級主輸出繞組的匝數以及每匝電壓值,以確定其他次級繞組的匝數.

④導線線徑計算.

首先計算電流峰值和有效值,然后選取電流密度為400c.m./A,求出導線的橫截面積;最后根據計算值再重新計算占空比,核算窗口面積是否滿足設計要求.

3）變壓器的繞制技術.

高頻變壓器的繞制是電源設計的關鍵環節.繞制時必須注意初級繞組要繞在最里層且設計成兩層以下,以減小初級繞組的分布電容和產生的電磁干擾,縮短導線的長度.為增強抗EMI的能力,反饋繞組可置于初、次級繞組之間.次級繞組以輸出功率的大小為依據,功率大的靠近初級繞組以減小漏感,如果繞組匝數較少,應使繞組均勻充滿整個骨架.