如圖4所示:圖中D4選用高頻低壓降肖特基管,用于V1的抗過飽,減小存儲時間提高關斷速度.D2用超快恢復二極管.其工作原理:C1對開通瞬間不能突變,有兩個作用:一是方波高于ZW穩壓值使V1基極偏置而導通,經R5與D3對FET驅動導通后漏極處低電平D2導通箝位,V1的偏置回路維持導通,電容C1始終處于低電平.當發生過流時,VDS迅速上升,ZW低于穩壓值將失去導通回路V1將截止.二是R3與C1形成積分延時,并且C1可通過R3在負半周的負電位而更加可靠地開通V1.
3.3增加軟關斷技術的驅動保護電路
對于IGBT器件增加軟關斷技術的電路如圖5所示:
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