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雙向過壓過流保護器件NCP370 的原理及應用

作者: 時間:2009-12-08 來源:網絡 收藏

2.5 DIR輸入
的DIR端強制拉低,并將DEV端拉高,即可進入正向充電狀態。而將DIR端置高時,OUT端會與IN端斷開,具體的充電狀態設置如表1所列。另外,DIR也會受到OVLO或U-VLO故障的影響(FLAG有效)。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/181158.htm

3 典型
具有電壓下降的功能,通過該功能可使電路免受IN端反向電壓的影響。當出現反向電壓時,NCP370的輸出將與輸入端斷開。
圖4所示是NCP370的典型電路。

將NCP370的DIR端強制置高(>1.2 V),且將DEV端置低(0.55 V),NCP370便可進入反向供電狀態,此時系統內的電源可以向置于底部連接器的外設供電。而NCP370則由電池來供電,范圍為2.5~5.5 V,而且此時的OCP和熱關斷模式同樣起作用。
當外設電阻Rlim上的電流(Ilim)高于Iocp時,流過其內部N溝道MOS管的電流就會受到限制,這樣,NCP370就能提供從電池到外設的反向過流功能。由于NCP370的內部電阻與Ilim是串聯關系,因此,當Ilim引腳直接與GND相連時,其OCP最大,而在它們之間接入Rlim時,其OCP會減小,OCP的取值大小如表2所列。當電流高于OCP時,其內部的NMOS會關斷,且/FIAG會置低,同時NCP370會通知微控制器來對故障進行處理,并禁止反向充電模式。

通過NCP370內部的熱關斷電路,可在溫度過高時關斷內部MOSFET,從而及時為降溫。NCP370所允許的最高熱關斷值為150℃,超過這個溫度,FLAG就會置低,并通知MCU。但是,由于NCP370芯片還具有30℃的熱滯,因此,只有在溫度低于120℃時,其芯片內部的MOSFET才能開啟;而在高于120℃時,NCP370會一直處于熱關斷狀態。此后,故障消除,芯片即可恢復正常工作。 NCP370在OUT端內部集成有2個低RDS(on)的N溝道MOS管,可用以實現對OUT端外系統在過壓、負向電壓及反向電流下的保護。通常,N溝道MOS管的這種RDS(on)特性會在OUT端引入少量損耗。


4 結束語
NCP370是安森美半導體公司針對便攜式系統產品最新推出的重要,該可為手機、數碼相機、MP3/4、個人數字助理(PDA)和GPS系統提供28 V的正向及負向過壓和過流保護(OVP)。此外,NCP370還提供有“反向”模式,可實現便攜式設備電池中反向電流的穩流,故可廣泛用于便攜式設備底部連接器上FM收發器以及音頻和閃光等功能附件電路的供電。


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