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高速電路的ESD保護最佳設計方案

作者: 時間:2012-06-04 來源:網絡 收藏

由于業界對在高頻電路中采用抑制越來越感興趣,所以已對消費電子領域中的一些大型器件進行了研究。對比數據表明,盡管低成本的硅二極管(甚至變阻器)的觸發/箝位電壓非常低,但它們的高頻容量和漏電流無法滿足不斷增長的應用需求。

另一個重要要求是抑制器對電路信號特性的影響最小。對聚合物抑制器的測量表明,頻率高達6GHz時的衰減小于0.2dB,這樣它們對電路幾乎沒有影響。

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另外,商業化產品要求在所有不同的硬件接口位置都要有ESD浪涌。例如,一些新型電腦和更高端的消費電子可能會如下這些互連器件的大部分或者全部:以太網、USB1.1/USB2.0、IEEE-1394/1394b、音頻/視頻/RF以及傳統的RS-232、RJ-11等端口等的audio/video/RF端口。所有傳統的器件都已經不同程度地得以成功應用。但是,如今不斷增長的工作頻率為超低電容器件(如聚合物抑制器)提出了需求(圖2a)。

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USB 2.0 協議具有100 Mbps的快速數據轉換速率。因此,當采用具有SurgX技術(圖 2b)的超低電容聚合物器件進行時,一個配備了USB 2.0功能的器件將具有最佳性能。這將比使用齊納二極管或多層變阻器時產生更少的數據失真。

另外,許多新型消費電子器件能執行快速的IEEE-1394/1394b(Fireware)數據轉換協議。這種非常高的數據速率(1600 Mbps,1394b)要求低電容ESD抑制器,例如聚合物浪涌器件(圖 2c)。測試數據表明,聚合物ESD抑制器帶來的信號失真比硅二極管器件保護Firewire端口產生的更少(圖 3)。

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