圖3 是加上源極電感的FET 等效原理圖。

圖3 　添加源極電感的FET 等效圖

　　從原理圖中可知輸入等效阻抗表達式(2) 為:

　　加入源極電感不僅改善穩定性,也能改善輸入輸出匹配與噪聲系數,是設計低噪聲放大器非常重要的方法。

　　1.2 　電路原理圖

　　根據原理圖,利用ADS 對電路進行S 參數仿真,為了提高仿真的準確性,電路元器件都采用了廠商提供的等效模型,同時將Rogers 的板材特性參數代入微帶線模型中。圖4 是用于ADS 的仿真原理圖。

圖4 　仿真原理圖

　　通過ADS 仿真及最后的實際電路測試,我們發現該低噪聲放大器能夠較好的滿足設計要求。圖5是實際測試結果圖。圖中可以看出,實際測試數據與仿真結果比較一致。

　　1.3 　仿真測量結果

　　根據技術指標要求,利用安捷倫的高級設計系統軟件仿真了工作頻段在810～850 MHz 范圍的低噪聲放大器,采用ROGES 公司的高頻線路板,介電常數為3148 ,厚度為20 mil ;仿真結果如圖,從仿真2 　低噪聲放大器的調試結果按照仿真結果,制成了PCB 樣板并通過網絡分析儀測試S 參數與噪聲測試見圖6 。圖5 是低噪聲放大器的實物圖。表2 是實測數據,從實測數據中可以看到,低噪聲放大器是絕對穩定的,且在帶內增益達到1815 dB 以上,輸入回波損耗20 dB 以上,輸出回波損耗為15 dB 左右, 噪聲系數維持在0185 dB ,實測數據與仿真數據并無太大差異,這也證明了仿真方法的正確性。結果可以看出低噪聲放大器的增益大于18 dB ,噪聲系數小于018 ,輸入回波損耗大于15 dB ,輸出回波損耗大于12 dB。

表1 　仿真數據

　　2 　低噪聲放大器的調試結果

　　按照仿真結果,制成了PCB 樣板并通過網絡分析儀測試S 參數與噪聲測試見圖6 。圖5 是低噪聲放大器的實物圖。表2 是實測數據,從實測數據中可以看到,低噪聲放大器是絕對穩定的,且在帶內增益達到1815 dB 以上,輸入回波損耗20 dB 以上,輸出回波損耗為15 dB 左右, 噪聲系數維持在0185 dB ,實測數據與仿真數據并無太大差異,這也證明了仿真方法的正確性。