基于MCU智能注射裝置實現智能電離子透入療法
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2、從電路原理圖可見設計的簡潔性
在電路原理圖（圖2）中，Q1是主要開關晶體管。MOSFET Vds擊穿和D1的擊穿電壓應大于電路的最大預期輸出電壓。當微控制器檢測到輸出電流低于預期大小時，它會快速地連續四次對MOSFET加脈沖以提高電壓輸出。這四個脈沖將產生更大電流和加速負荷下的上升時間。或者，可用PWM驅動MOSFET，這樣允許來自升壓電路的更高輸出。R6/C6為電流檢測網絡。
由于PIC12F683體積小、成本低、配置有內部ADC、固定基準電壓、集成比較器、PWM、硬件定時器和內部EEPROM，所以它被本設計選定為MCU。使用固定參考電壓可省去調節器或外部參考電壓，使該設計可做成一個8引腳器件以便進一步降低成本。
該設計還包含兩個用于用戶界面的LED，一個連接至復位部件的啟動按鈕。
測試結果
在測試過程中，捕捉到了如圖3和4所示的波形。
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