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寫MSP430片內flash

作者: 時間:2016-11-25 來源:網絡 收藏

void FlashWW(unsigned int Adr,unsigned int DataW)

{

FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK 16*FN4 + 8*FN3

FCTL3 = FWKEY;

FCTL1 = FWKEY + WRT;

while(FCTL3 & BUSY);

*((unsigned int *)Adr)=DataW;//數值強制轉換成指針,指向地址數據Adr所表示的內存單元

//將數據字DataW賦值給內存單元

FCTL1 = FWKEY;

FCTL3 = FWKEY + LOCK;

while(FCTL3 & BUSY);

}
// 寫入地址 *pc_byte 寫入數據:*pc_byte

void FlashWrite(uchar *pc_byte,uchar *Datain,uint count)

{

FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK 16*FN4 + 8*FN3

FCTL3 = FWKEY;

FCTL1 = FWKEY + WRT;

while(FCTL3 & BUSY); //如果處于忙狀態,則等待


while(count--)

{

while(FCTL3 & BUSY);

*pc_byte++ = *Datain++;

}


FCTL1 = FWKEY;

FCTL3 = FWKEY + LOCK;

while(FCTL3 & BUSY);

}

注意:在對字寫入和字節寫入的時候,用于指向信息區數據指針類型的區別,字寫入時候為*((unsigned int *)Adr),字節寫入時候為*((unsigned char *)Adr)。

4.3 讀取

根據查看的書籍資料和網絡資料得出,內部Flash的讀取操作沒有順序的要求,一般Flash默認的操作方式即為讀模式。讀取Flash的程序代碼如下:

void FlashRead(uchar *pc_byte,uchar *Dataout,uint count)

{

while(count--)

{

*Dataout = *pc_byte;

Dataout++;

pc_byte++;

}

}

在網上查找資料的時候,好像看到過有位網友的博客說,內部Flash的地址是自動加1的,按照他的理解,函數中pc_byte++語句就沒有用處了,可是事實不然,我在調試過程中,發現并不能自動加1,pc_byte++語句還是有必要的。調用上述函數,可以通過這樣的方式FlashRead((uchar *)0x1000,a,4);即從0x1080地址處開始,連續讀取4個字節的數據,送給數組a。

5 小結

對Msp430 片內Flash的操作是通過對3個控制字中的相應位來完成的,只有控制位的正確組合,才能實現相應的功能。

同時在編程中注意靈活使用數組和指針,以及指向數組的指針等,可以達到靈活編程的目的,不過本文中給出的幾個程序段,基本上能夠實現對Msp430 Flash的擦除、寫入等操作。這是我最近3天所作的一些努力,整理一下與大家分享。

本文參考了TI的《MSP430x1xx Family Users Guide》及TI網上提供的關于Flash操作的實例代碼,并在網絡上收集了一些資料,在此不一一列出,不過本文應該算本人原創,轉載請注明。謝謝


MSP430X14X Flash 讀寫操作總結

開發平臺:IAR Embedded Workbench、MSP430F149開發板

作者:譚貝貝

Flash操作注意事項

在讀寫的過程中電壓不能小于2.7V否則擦除和讀寫的結果將不可預測。Flash的可操作時鐘頻率為~257KHZ---~476KHZ。如果頻率不符合要求,則結果不可預測。

在擦除先需要關閉中斷和看門狗,在擦除的過程中如果產生了中斷,則會在重新使能中斷后產生一個中斷請求。Flash只能從1寫為0,不能從從0寫為1,所以需要擦除。

可以被擦除的最小模塊是片段,tAll Erase = tMass Erase = 5297/fFTG, tSeg Erase = 4819/fFTG。

Flash ERASE

MSP430X14X的擦除模式可以從Flash或者RAM中進行。

從Flash中擦除

從Flash中擦除的過程中所有的定時都會被Flash控制,CPU被掛起。擦除完成后需要一個假寫入CPU才能復位。從Flash擦除時有可能把后面CPU需要執行的代碼擦除。如果發生這樣的情況,在擦除后CPU的執行狀況將不可預測。

Flash中擦除流程圖

圖片地址:http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b.html

從RAM中擦除

從RAM中擦除時CPU不會被掛起,可以繼續執行代碼。必須檢測BUSY位以判斷擦除是否結束,如果在擦除的過程中(即BUSY=1時)訪問Flash,這是一個違規的訪問,ACCVIFG會置位,而擦除的結果也將不可預測。

RAM中擦除流程圖

圖片地址:http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b.html

Flash Write

MSP430X14X有兩種寫入模式,分為段寫入(byte/word write),和塊寫入(Block Write),塊寫入要快得多,但是操作麻煩,在擦除的過程中不能有一個Flash word(low + high byte),則會發生損壞。CPU不能在BUSY=1時訪問Flash,否則ACCFIG將置位寫入將不可預測。

1.Byte/Word write

Byte/Word 寫入可以從Flash或者RAM初始化,當從Flash中初始化時,所有的定時都會被Flash控制,CPU被掛起。寫完后CPU將繼續執行后面的代碼。

當從RAM中初始化時,BUSY必須在CPU訪問Flash前置0.否則ACCFIG將被置位,寫入的結果將不可預測。

在Byte/Word 寫模式下寫入總時間不能超過4ms,如果超過了,當再想這塊任何地址寫入數據時必須先擦除。

Byte/Word 寫入流程圖

從RAM中執行Byte/Word 寫入

塊寫入

塊寫入時沒一小塊不能超過t_cpt=4ms,塊寫入只能從RAM中進行,在塊寫入的過程中WAIT位要置0,當想Flash中寫入數據時,需要先檢查WAIT位是否為1.當前塊寫完后BLKWRT要清0.

流程圖

圖片地址:http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b.html

在擦除或者寫入的過程中訪問Flash,見下表

Flash的寄存器

FCTL1,選擇擦除和寫入模式的寄存器

FRKEY/FWKEY 高八位為密碼讀的密碼為96h,寫的密碼為A5h。

BLKWRT 塊寫入模式選擇位,可以自動被EMEX置位

WRT 字寫入模式選擇位,可任意自動被EMEX置位

MERASE和ERASE,擦除模式選擇位

FCTL2時鐘選擇寄存器

FWKEYx密碼位

FSSELx時鐘選擇位

FNx分頻比 分頻值等于FN+1

兩個例子

#include

#include "BoardConfig.h"

void Write_A(uchar value);

void Copy_A2B(void);

void main( void )

{

// Stop watchdog timer to prevent time out reset

WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;

BoardConfig(0xb8);

FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN0; //Select source

uchar value = 0;

for(;;)

{

Write_A(value++); //Write data to segment A

Copy_A2B(); //Copy data from segment A to segment B

_NOP();

}

}

void Write_A(uchar value)

{

uchar i;

uchar *Flash_ptr;

Flash_ptr = (uchar *)0x1080;

FCTL1 = FWKEY + ERASE; //Set ERASE mode

FCTL3 = FWKEY; //Clear LOCK

*Flash_ptr = 0; //Dummy write

FCTL1 = FWKEY + WRT;

for(i = 0;i < 128;i++)

{

*Flash_ptr++ = value; //Write value

}

FCTL1 = FWKEY; //Clear WRT

FCTL3 = FWKEY + LOCK; //Set LOCK

}

//Copy data from B to A

void Copy_A2B(void)

{

uchar *Flash_ptrA;

uchar *Flash_ptrB;

uint i;

Flash_ptrA = (uchar *)0X1080;

Flash_ptrB = (uchar *)0x1000;

FCTL1 = FWKEY + ERASE;

FCTL3 = FWKEY;

*Flash_ptrB = 0;

FCTL1 = FWKEY + WRT;

for(i = 0;i < 128;i++)

{

*Flash_ptrB++ = *Flash_ptrA++;

}

FCTL1 = FWKEY;

FCTL3 = FWKEY + LOCK;

}



關鍵詞: MSP430片內flas

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