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手機充電器革命技術出現:體積減半,看完想買!

作者: 時間:2018-03-22 來源:充電頭網 收藏

  如果開關頻率太高,這部分功率損耗會大幅度增加而導致電源顯著變熱:

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/201803/377281.htm
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  而有源鉗位反激拓撲可以解決這個問題,在有源鉗位反激拓撲中,變壓器漏感的能量并不被耗散掉,而是會先被儲存在鉗位電容里然后再被傳遞到輸出端。

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  有源鉗位反激拓撲優點不僅限于此:

  通過智能化的控制有源鉗位電路,主邊的FET可以實現零電壓開啟(ZVS),從而消除這個主要的開關電源損耗來源,效率得到進一步提高,ZVS的實現使我們可以使用更高的開關頻率從而減小的大小。

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  如果我們用氮化鎵(GAN)取代基于硅的FET,實現ZVS所需要的能量會大大降低

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  這樣我們就可以使用更高的開關頻率,的大小將縮小至一半 

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  使用GaN的30W(中)體積要比傳統24W充電器(右)小得多。

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  但是可靠的控制有源鉗位反激拓撲并不簡單,在過去市面上并沒有快速且智能的控制芯片產品來實現這個拓撲。

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  不過UCC28780控制芯片將改變這一局面

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  通過集成多種先進的功能比如自適應、自調節的ZVS和脈沖模式,UCC28780化繁為簡,使有源鉗位反激拓撲在充電器中的應用成為現實。

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  UCC28780既可以控制基于硅的也可以用于控制基于氮化鎵的主邊FET。 

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  為了達到嚴格的效率標準比如DoE level VI和CoC Tier 2,還有一款UCC28780配套使用的同步整流管控制器UCC24612,使用這一款同步整流控制器,副邊可以使用效率更高的同步整流管來取代二極管。


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關鍵詞: 充電器

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