DDR4、DDR5 現貨交易激增：買家加速對沖價格風險，主流 DDR4 漲幅近一成

作者：時間：2025-10-23 來源：

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EEPW 產業觀察｜2025 年 10 月 22 日

在全球存儲芯片市場持續波動的背景下，本周 DRAM 現貨交易量顯著上升，買家情緒全面轉向積極。EEPW 觀察發現，主流 DDR4 與 DDR5 產品價格均出現明顯上漲，其中 DDR4 1G×8 3200 MT/s 的平均成交價較上周上漲近 9.9%，成為今年下半年以來漲勢最明顯的一波行情。

市場交易熱度驟升

近期現貨市場的交易量與成交頻率持續攀升，尤其是 DDR4 模塊的報價幾乎每日刷新高點。買家普遍反映，渠道低價庫存已大幅消化，而供應商與模塊廠的報價同步上調。與此同時，部分中下游廠商開始提前采購，意圖對沖未來進一步的價格上行風險。

EEPW 了解到，雖然終端消費類電子（特別是 PC 與智能手機）需求仍處于溫和恢復階段，但市場情緒已經率先啟動。“大家都擔心明天會更貴”成為業內最直觀的心態寫照。一些中小型模組廠為了確保未來一個季度的供貨穩定，已經重新調整采購節奏，將補貨周期從季度級縮短為月度甚至周度。

DDR4 供應收縮，價格彈性放大

EEPW 分析認為，本輪現貨上漲的根本原因仍在供需兩端的結構性變化。

主流廠商持續轉產 DDR5 與 HBM
過去一年，全球前幾大 DRAM 廠商陸續將部分產線從 DDR4 轉向 DDR5 或高帶寬記憶體（HBM）產品，以迎合 AI 服務器與高性能計算的快速增長需求。這導致 DDR4 的有效供應量明顯收縮，庫存逐步減少。
模塊廠與分銷渠道的庫存偏低
在上半年價格疲軟期間，多數模塊廠采取“以銷定采”的保守策略，庫存水位普遍偏低。如今需求端略有回暖，而上游供貨周期延長，使得渠道補貨壓力上升。
價格傳導鏈條順暢
當前市場報價上行的過程幾乎沒有被中間層攔截——從晶圓廠到模組廠再到分銷端，價格傳遞相對迅速。這意味著市場已經進入明顯的買方追價階段。

DDR5 交易同步活躍

雖然 DDR4 漲幅更為顯著，但 DDR5 的成交量也呈現穩步攀升趨勢。
EEPW 認為，DDR5 的價格變化體現出一種“雙重邏輯”：

一方面，AI 服務器與新一代平臺導入持續擴大，使得 DDR5 在中高端市場需求穩定；
另一方面，隨著 DDR4 價格的抬升，部分整機廠商開始考慮更快地切換到 DDR5 平臺，以在長期成本上獲得可預測性。

目前 DDR5 仍處于快速滲透階段，市場報價波動相對溫和，但若 DDR4 現貨繼續拉高，不排除 DDR5 隨后出現跟漲行情。

NAND Flash 同步走強

除 DRAM 外，EEPW 監測到 NAND Flash 現貨價格也繼續上揚，漲幅普遍在 15%–20% 之間。其中 512 Gb TLC 晶圓本周價格已接近 4.6 美元，環比上漲近 28%。
這種同步上行的現象，反映出存儲全品類的市場信號趨于一致：買方普遍擔心 2025 年第四季度及 2026 年初的供應偏緊，并通過提前備貨來鎖定成本。

EEPW 指出，這一行為將對 NAND 與 DRAM 價格形成聯動效應。
DRAM 廠商在資本支出上維持謹慎，產能擴張有限；而 NAND 廠商雖積極推動 QLC 與 3D 堆疊技術，但短期仍難以顯著增加出貨量。兩者疊加，使“庫存低位 + 預期上行”成為價格的核心推手。

買家行為：從“觀望”到“對沖”

EEPW 采訪的多家渠道與模組廠均表示，自 9 月以來，買家采購策略發生明顯轉變：

上半年普遍采取 “按需采購、隨用隨買” 模式；
進入 10 月后，普遍改為 “提前鎖量、分批入庫”。

這表明，市場心態已從“防跌”轉向“防漲”。
部分買家甚至采用金融化的對沖策略，通過期貨合約或批量現貨鎖價，規避第四季度的價格波動風險。

EEPW 認為，這種現象意味著現貨市場正在成為 DRAM 廠商價格調節的關鍵窗口：當合約價未能及時反映成本變化時，現貨波動率便成為最直接的信號來源。

價格變化的連鎖影響

從供應鏈層面看，DRAM 價格的上漲將帶來以下三方面連鎖反應：

整機成本抬升
對 PC、筆電及部分服務器制造商而言，存儲器約占總 BOM 成本的 8%–15%。DDR4 報價上漲近一成，將直接推高整機成本約 1%–2%，對低價段產品利潤形成擠壓。
DDR5 滲透加速
隨著 DDR4 價格上升、DDR5 差價收窄，OEM 廠商將更快地轉向支持 DDR5 的平臺。EEPW 預計 2026 年 DDR5 在 PC 端的滲透率將突破 70%。
模塊廠盈利改善
模組組裝與分銷環節的毛利率有望階段性回升，部分廠商已調高下季度報價目標。