圖4：LMH6657的壓擺率與輸入過驅動電壓的關系反映出壓擺率的增強。

　　圖4是LMH6657數據手冊中所給出的壓擺率與輸入過驅動電壓的函數關系。

　　因此，在輸入過驅動電壓和輸出壓擺率較大的情況下，這類器件的輸出電流能力也得到了提高。

　　圖5：兩個不同的輸入過驅動電壓下，LMH6657的輸出提供電流特征。

　　圖5顯示了在兩個不同的輸入過驅動電壓下，LMH6657的輸出提供電流能力(IOUT)與輸出電壓之間的關系，從中可以看出，較大的輸入過驅動電壓增大了輸出電流(圖中表現為對于相同的IOUT，輸出電壓到電源電壓的余量要小)。這里沒有給出接受電流特征，但結果是相似的。

　　與常規的電壓反饋運放相比，更需要確保這類器件的輸出特征被正確地理解。通過增大輸入過驅動電壓能夠得到額外的輸出驅動能力。但是，當進行像在負載上維持一個穩態擺幅這樣的失真很小的閉環工作時，卻需要很小的輸入過驅動電壓(前面已經提到過+/-20mV)。在輸入過驅動電壓很大的條件下指定的輸出能力只能用于瞬態行為，此時輸出尚未達到最終值，一旦輸出達到最終值，輸入過驅動電壓就會下降到20mV以下。因此，當在穩態輸出電流而不是瞬態行為十分重要的應用中，評估這類器件的性能時，需要注意輸入過驅動條件。

　　電流反饋(CFB)運放的輸出特征的測量方法與上面所給出的方法十分相似。圖6顯示了進行這一測量時所使用的設置。

　　圖6：測量CFB運放的輸出特征。

　　CFB的結構是由一個位于正向和反向輸入端之間增益為1的緩存器構成的，電阻RG使得電流能夠流過反向端口。設置VIN的值大于輸入失調電壓，電流就會從反向輸入端口流出，并且輸出會向正電源電壓V+增長(即會盡可能地靠近V+)。像前面所解釋的電壓反饋(VFB)運放的情況一樣，電流發生器Go會對一系列適合DUT的電流值進行掃描，得到輸出提供電流能力與輸出電壓之間的關系。通過顛倒VIN的極性并將Go設置成向DUT的輸出管腳提供電流，就能夠確定接受電流能力。注意，對于CFB結構，輸入過驅動電壓對于輸出特征的影響比VFB結構要小。

　　輸出能力和運放的宏模型：

　　美國國家半導體公司向用戶提供的Pspice宏模型，能夠很好地預測運放的許多參數，輸出特征是其中之一。對于我們一直在討論的LMH6642，圖7給出了由美國國家半導體公司的Pspice模型所預測的輸出特征。

　　在建立Pspice宏模型時，我們力圖使圖7中所示的模型曲線與圖1中所示的典型的器件特性相符合。但是，仔細觀察就會發現，