久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術 > 設計應用 > DS2433設計轉變為DS24B33 4Kb 1-Wire EEPROM

DS2433設計轉變為DS24B33 4Kb 1-Wire EEPROM

作者: 時間:2011-11-02 來源:網絡 收藏
G-LEFT: 0px; PADDING-BOTTOM: 0px; MARGIN: 0px; PADDING-TOP: 0px">
500
μA
5
注5:Copy Scratchpad需要最長5ms的時間,期間1-Wire總線電壓不得低于2.8V。

摘自數據資料

SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
IPROG
2
mA
18
注18:編程期間從IO吸收的電流。IO上拉電路應使IO電壓在編程期間大于或等于VPUPMIN。如果系統中的VPUP接近于VPUPMIN,則可能需要增加一個RPUP低阻旁路,編程期間將其激活。

影響:數據資料僅規定了典型值;則規定了最大編程電流。為確保滿足2.8V最小值要求,需要知道最大編程電流。如果上拉電壓接近其指標下限,滿足最小電壓要求尤其重要。例如:為了在5V環境下滿足2.8V最小值要求,上拉電阻必須為RPUP≤ (5.0V - 2.8V)/2mA = 1100Ω。

措施:如果對進行寫操作,則檢查是否滿足2.8V最低電壓工作條件(VPUPMIN),以獲得最大編程電流。尤其對于接近3.3V的VPUP,上拉電阻需要一個可切換的低阻旁路,詳細信息請參考應用筆記4255:“為1-Wire?器件的擴展功能供電”,或應用筆記4206:“為嵌入式應用選擇合適的1-Wire?主機”。

  1. 輸入負載電流
    說明:該參數規定在沒有通信操作時,1-Wire從器件從1-Wire總線吸收的電流。此時,寄生電源已完全充滿。不同器件之間的輸入負載電流不同。輸入負載電流產生的上拉電阻壓降計算公式為:ΔV = RPUP× IL。

    摘自數據資料
    SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
    IL
    5
    μA
    4
    注4:輸入負載至地。

    摘自DS24B33數據資料
    SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
    IL
    IO at VPUPMAX
    0.05
    5
    μA
    注4:輸入負載至地。

    影響:數據資料僅規定了典型值。DS24B33數據資料規定了最小值和最大值。

    措施:由于最大值與DS2433典型值相同,該參數完全兼容于DS2433應用,無需采取措施。
  2. 輸入電容
    說明:該參數規定1-Wire器件寄生電源的電容值,通常,該數值為600pF至800pF。如果寄生電源完全放電,則需要一定的空閑時間重新充電補充能量,使1-Wire做好通信準備。器件上電時,通常具有足夠的空閑時間。正常工作期間,只為部分寄生電容重新充電。

    摘自DS2433數據資料
    <cite id="zcjgx"><track id="zcjgx"></track></cite>


    關鍵詞: DS2433 DS24B33 EEPROM

    評論


    相關推薦

    技術專區

    <cite id="zcjgx"></cite>
    • <cite id="zcjgx"></cite>