三極管的內部結構為兩個PN結，由三層半導體區形成的。

三極管的結構特點：
(1) 基區很薄，且摻雜濃度低；(2) 發射區摻雜濃度比基區和集電區高得多；(3) 集電結的面積比發射結大。

三極管內部結構

導體二極管內部只有一個PN結，若在半導體二極管P型半導體的旁邊，再加上一塊N型半導體如圖5-1（a）所示。由圖5-1（a）可見，這種結構的器件內部有兩個PN結，且N型半導體和P型半導體交錯排列形成三個區，分別稱為發射區，基區和集電區。從三個區引出的引腳分別稱為發射極，基極和集電極，用符號e、b、c來表示。處在發射區和基區交界處的PN結稱為發射結；處在基區和集電區交界處的PN結稱為集電結。具有這種結構特性的器件稱為三極管。

三極管通常也稱雙極型晶體管（BJT），簡稱晶體管或三極管。三極管在電路中常用字母T來表示。因三極管內部的兩個PN結相互影響，使三極管呈現出單個PN結所沒有的電流放大的功能，開拓了PN結應用的新領域，促進了電子技術的發展。

因圖5-1（a）所示三極管的三個區分別由NPN型半導體材料組成，所以，這種結構的三極管稱為NPN型三極管，圖5-1（b）是NPN型三極管的符號，符號中箭頭的指向表示發射結處在正向偏置時電流的流向。

根據同樣的原理，也可以組成PNP型三極管，圖5-2（a）、（b）分別為PNP型三極管的內部結構和符號。

”符號時，因為該符號的箭頭是由基極指向發射極的，說明當發射結處在正向偏置時，電流是由基極流向發射極。根據前面所討論的內容已知，當PN結處在正向偏置時，電流是由P型半導體流向N型半導體，由此可得，該三極管的基區是P型半導體，其它的兩個區都是N型半導體，所以該三極管為NPN型三極管。

圖5-3（a）和圖5-3（b）都是小功率管，圖5-3（c）為中功率管，圖5-3（d）為大功率管。