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影響開關模式、DC-DC轉換器效率的主要因

作者: 時間:2011-05-29 來源:網絡 收藏
是由于電容絕緣材料的電阻(RL)導致較小電流流過電容而產生的功率損耗。電介質損耗比較復雜,由于電容兩端施加了交流電壓,電容電場發生變化,從而使電介質分子極化造成功率損耗。

影響開關模式、DC-DC轉換器效率的主要因
圖9. 電容損耗模型一般簡化為一個等效串聯電阻(ESR)

所有三種損耗都體現在電容的典型損耗模型中(圖9左邊部分),用電阻代表每項損耗。與電容儲能相關的每項損耗的功率用功耗系數(DF)表示,或損耗角正切(δ)。每項損耗的DF可以通過由電容阻抗的實部與虛部比得到,可以將每項損耗分別插入模型中。

為簡化損耗模型,圖9中的接觸電阻損耗、漏電流損耗和電介質損耗集中等效為一個等效串聯電阻(ESR)。ESR定義為電容阻抗中消耗有功功率的部分。

推算電容阻抗模型、計算ESR (結果的實部)時,ESR是頻率的函數。這種相關性可以在下面簡化的ESR等式中得到證明:

公式4

式中,DFR、DFL和DFD是接觸電阻、漏電流和電介質損耗的功耗系數。

利用這個等式,我們可以觀察到隨著信號頻率的增加,漏電流損耗和電介質損耗都有所減小,直到接觸電阻損耗從一個較高頻點開始占主導地位。在該頻點(式中沒有包括該參數)以上,ESR因為高頻交流電流的趨膚效應趨于增大。

許多電容制造商提供ESR曲線圖表示ESR與頻率的關系。例如,TDK為其大多數電容產品提供了ESR曲線,參考這些與開關頻率對應曲線圖,得到ESR值。

然而,如果沒有ESR曲線圖,可以通過電容數據資料中的DF規格粗略估算ESR。DF是電容的整體DF (包括所有損耗),也可以按照下式估算ESR:

公式5

無論采用哪種方法來得到ESR值,直覺告訴我們,高ESR會降低開關電源效率,既然輸入和輸出電容在每個開關周期通過ESR充電、放電。這導致I2 × RESR功率損耗。這個損耗(PCAP(ESR))可以按照下式計算:

PCAP(ESR) = ICAP(RMS)2 × ESR

式中,ICAP(RMS)是流經電容的交流電流有效值RMS。對降壓電路的輸出電容,可以采用電感紋波電流的有效值RMS。輸入濾波電容的RMS電流的計算比較復雜,可以按照下式得到一個合理的估算值:

ICIN(RMS) = IOUT/VIN × [VOUT (VIN - VOUT)]1/2

顯然,為減小電容功率損耗,應選擇低ESR電容,有助于SMPS電源降低紋波電流。ESR是產生輸出電壓紋波的主要原因,因此選擇低ESR的電容不僅僅單純提高效率,還能得到其它好處。

一般來說,不同類型電介質的電容具有不同的ESR等級。對于特定的容量和額定電壓,鋁電解電容和鉭電容就比陶瓷電容具有更高的ESR值。聚酯和聚丙烯電容的ESR值介于它們之間,但這些電容尺寸較大,SMPS中很少使用。

對于給定類型的電容,較大容量、較低的DfS能夠提供較低的ESR。大尺寸電容通常也會降低ESR,但電解電容會帶來較大的等效串聯電感。陶瓷電容被視為比較好的折中選擇,此外,電容值一定的條件下,較低的電容額定電壓也有助于減小ESR。


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