圖文詳解硅光子技術制造細薄膜的LED陣列
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附生細薄膜 LED (Ts) 的溫度被初步評量，量測決定于來自于附生細薄膜LED射極光的波長分布的If。初步模擬表示Ts約為50℃甚至有一個十分高的電流密度約為20kA/cm2（If 約為12mA），對于附生細薄膜LED可被連結DLC細薄膜于硅基座上；Ts也早已增加達約100℃于電流密度為5kA/cm2 (If 約為3mA)時，其附生細薄膜LED于各種技術層。它證明連結的附生細薄膜LED于DLC細薄膜上有較高的熱流傳導，保證較高的熱傳導特性，以及有較好的LED特性；甚至于較高的LED電流密度范圍時。
結語
制造較高密度的附生細薄膜LED數組，其特性為3度空間可透過EFB技術整合有CMOS IC驅動器。1200dpi附生細薄膜LED數組也能透過EFB被整合于IC驅動器。附生細薄膜LED數組被整合于IC驅動器中顯示有好的LED特性以及高可靠。此一EFB技術提供有整合光以及CMOS裝置并保證可于硅光子技術所完成。
較高的密度的2D整合附生細薄膜LED可被完成于玻璃與可撓性的塑料基座上。2D LED數組的數組厚度可盡可能的細為21.2μm，并能透過EFB被制造于相異的原料基座上。測試結果也說明EFB技術可以被應用于相異的原料裝置的超高密度整合。本研究為第一個提出也附生細薄膜LED可以直接的連結于DLC細薄膜成形于硅基座上。附生細薄膜LED數組 鏈接于DLC細薄膜的測試顯示，不同的鏈接特性有小的以及更好的LED特性可以被建構。EFB技術將提供新的高密度被整合裝置生產的改格且于系統中包含有相異的材料，并被期望于為來有更新的電子組件。
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