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薄膜電容器在電磁加熱設備中的應用

作者: 時間:2013-11-19 來源:網絡 收藏
-height: 26px; background-color: rgb(255, 255, 255); ">  C6: 直流母線吸收電容,就地吸收,緩沖和抑制IGBT開關時產生的尖峰電壓。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/227938.htm

  C6和C3同樣并接于直流母線的正負極上。但是由于結構及布線回路等因數的制約,導致后端的IGBT遠離C3電容,所以需要在后端的IGBT模塊的電源端直接鎖上一只母線吸收電容,就地吸收IGBT產生的紋波電壓和紋波電流。C6在選擇的時候,耐壓方面一般按照IGBT的額定電壓來選擇。盡量選擇紋波電流大,dv/dt大,雜散電感小的母線吸收電容。例如MKPH-S 0.47?F 1?F 1.5?F 2?F等型號,額定電壓1200V.DC的吸收電容器。  3 選型中常出現的問題

  A 額定電壓選擇不當

  額定電壓選擇不當,出現最多的地方是諧振電路部分(C5)。研發人員應該根據設備的額定功率,輸入電壓,電路拓撲,逆變控制方式,負載材質,負載磁載率,電路Q值等參數作為綜合考慮后作初步計算。待樣機初步達到要求后,需要用示波器加高壓電壓探頭,實際測量一下設備在最大功率的時候,諧振電容器兩端的峰峰值電壓,峰值電壓,均方根值電壓,諧振頻率等參數,用來判定所選擇的諧振電容器型號及參數是否正確。

  B 額定電流選擇不當

  額定電流選擇不當,出現最多的地方是C3(直流支撐)和C5(諧振)部份。實際需要的電流值如果比電容器允許通過的電流值大,那么會造成電容器發熱嚴重,長期高溫工作,導致電容器壽命大大降低,嚴重的會炸毀甚至是起火燃燒。在設備研發中,可以通過專用的電流探頭或其他方式,測量一下實際需要的峰值電流,均方根值電流,然后調整電容器的參數。最終可通過設備在滿功率老化測試中,測量一下電容器的溫升,根據電容器的溫升允許參數來判定電容器的選擇是否恰當。(電流測量及溫升情況來綜合評定)

  C 接線方式不當

  接線方式不當,主要出現在電容器多只并聯使用中。由于接線方式,走線距離不一致等因數,導致每只并聯的電容器在電路中分流不一致。最終體現在多只并聯的電容器,每只的溫升都不一致。個別位置的電容器溫升過高,出現燒毀的情況。因此,需要對電容器的并聯使用進行合理的布線及連接,盡量要做到均流,提高電容器的使用壽命。

  4 使用中的波形參考

薄膜電容器在電磁加熱設備中的應用

C3電壓基波波形 (505V/300HZ) C3紋波電壓波形(38V/23.3KHz)

薄膜電容器在電磁加熱設備中的應用

C5諧振電流波形(Ip=84A Irms=60A ) C4吸收電容波形(Vce=581V F=19.6KHz)

  最后,本文分析了設備內部各位置的所起的作用及選型原則,注意事項等等,以三相全橋商用電磁爐作為案例。隨著設備應用領域日益增大,薄膜電容器的使用要求和電性能參數也越來越高。

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