基于一階溫度補償技術的CMOS帶隙基準電壓源電路 作者： 時間：2012-12-20 來源：網絡 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 電路的溫度系數達到了10x10-6／℃，室溫下電路的功耗為5.2831mW，電路低頻時的電源抑制比特性還不是很好，還有待于進一步的提高，高頻時的電源抑制比非常好，因此本電路可以廣泛應用于低功耗，低溫漂，高頻集成電路中。 上一頁 1 2 下一頁
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