（1）應用條件。驅動芯片的浮地端可以與MOSFET源端同電位相連，驅動芯片PWM功率輸出級能拉、灌電流500 mA，一般可以直接驅動數十安的MOSFET和IGBT。

　　（2）電路，其電路如圖1所示，其中V3為被驅動的MOSFET，V1提供“拉”電流，V2提供“灌”電流。R1（5～10Ω）用米限制峰值電流，以減小尖峰干擾。R2為靜態放電電阻（1≈100 kΩ），電路不通電時，保證CGS處在無電壓狀態，以防止V3長期處于導通狀態，并使柵－源之間處在低電阻狀態，不易受到外界的干擾，或使柵一源擊穿。

　　圖1直接驅動電路