硅片質(zhì)量對(duì)太陽(yáng)能電池性能的影響
加入技術(shù)交流群
如圖3、4所示，鋸痕、臺(tái)階和厚薄不均片的碎片率、電極不良率和總報(bào)廢與不良率均明顯高于正常硅片，其中總報(bào)廢與不良率比正常硅片高了4%-10%。
圖3各種不良硅片電池生產(chǎn)對(duì)比圖
圖4各種不良硅片組件生產(chǎn)對(duì)比圖
硅片的表面沾污對(duì)太陽(yáng)能電池性能的影響
圖5手指印造成的硅片表面沾污，在制絨過(guò)程中，會(huì)出現(xiàn)如異常
圖6原始硅片未清洗干凈，表面有有機(jī)油污污染或清洗液殘留等造成的硅片表面沾污，在制絨過(guò)程中，會(huì)出現(xiàn)異常
圖7硅片表面因?yàn)橛杏臀鄣却嬖冢平q后未能長(zhǎng)出金字塔結(jié)構(gòu)的絨面
圖8由于原始硅片手指印和有誤的存在，在制絨過(guò)程中無(wú)法去除，在PECVD工序會(huì)引起色斑
評(píng)論