未來展望——FSI 和BSI 圖像傳感器技術
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FSI的缺點
從一開始，FSI就面臨著使入射光通過硅片金屬層到達光電檢測器的挑戰。要加大孔徑，以提高光聚集度，可采用共享元件來設計像素，以盡量減少光電二極管上的電路。這種方法在提高QE的同時，也帶來了不對稱性，其后必須予以補償。此外，這些孔徑又產生衍射效應，而且更大的像素堆疊高度使得串擾抑制變得更為困難。雖然光導管可以減輕這些效應，但光導管本身也存在損耗。
像素從1.4微米縮小到1.1微米，有關光導管的設計挑戰大幅度增加。隨著像素的不斷縮小，即使采用光導管，衍射效應也會妨礙光的接收。此外，FSI無法利用所有可用金屬互連層來進行片上處理，在1.1微米像素下，這個缺陷可能更為突出。
BSI技術概述
采用BSI構建像素，光線無需穿過金屬互連層(見圖3)。然而，這仍然對光路徑帶來一些限制，幸運的是，促使FSI技術不斷改進的許多知識和技術進步可以直接應用于BSI技術，從而為提高 BSI 性能打下了堅實的基礎。
圖4 30 lux照度下，800萬像素、1.4微米像素尺寸的FSI傳感器產生的圖像
BSI技術的第一步是匯聚進入光電二極管光學區域的入射光，其光學要求與FSI相同，不過現在微透鏡的位置更接近光電二極管，需要淀積更厚的微透鏡材料層，以獲得更短的焦距。與由互連層創建的自然孔徑的FSI技術不同，BSI需要最大限度地減小串擾，因而必需通過在光電二極管上淀積金屬柵格（metal grid）來增加一個孔徑。
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