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基礎電子產業:集中力量重點突破

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作者:中國電子信息產業發展研究院規劃研究所 時間:2007-03-14 來源:中國電子報 收藏
  基礎電子產品是核心基礎產業的重要組成部分,處于電子信息產業鏈的最前端?;A電子產品的發展對于電子信息產業的技術創新和做大做強發揮著至關重要的作用。目前,我國基礎電子產業實力不強,結構性矛盾突出,自主創新能力不足,制約了我國電子信息產業整體實力的提升。進一步做大做強基礎電子產業是“十一五”期間全行業實現健康發展的根本保證。為此,必須在繼續鞏固我國在傳統元器件、部分電子材料和電子專用設備儀器領域優勢的同時,堅持跟蹤與突破相結合、引進與創新相結合,有所為,有所不為,集中力量,重點突破量大面廣的新型元器件、新型顯示器件、關鍵電子材料和重大技術裝備,著力培育一批擁有自主知識產權和國際競爭力的優勢企業。

  優先發展TFT-LCD和PDP

  面向數字化、高清晰化、平板化需求,優先發展TFT-LCD和PDP,促進產業鏈垂直整合與企業橫向聯合,擴大產業規模,培育自主創新能力;重點支持OLED、SED等新一代平板顯示器件的工藝和生產技術開發,力爭實現產業化;加快傳統彩管產業戰略轉移,積極發展高清晰度、短管頸等高端彩管產品。

  支持建設第六代以上TFT-LCD面板生產線,加快國內關鍵配套件  
的開發與產業化進程,力爭在TFT-LCD用彩色濾光片、基板玻璃、偏光片、新型背光源、部分生產設備以及材料上取得突破;重點發展42英寸以上PDP顯示屏、驅動電路及模塊,掌握規模量產技術;積極組織OLED/PLED、SED器件和模塊的基礎技術研發;積極發展小尺寸手機主/副屏、PDA和MP3所用OLED顯示屏。重點發展數字高清晰度彩管及相關配套件、特種示波管。

  元器件產業要突破關鍵技術

  以片式化、微型化、集成化、高性能化、無害化為目標,突破關鍵技術,調整產品結構,促進產業鏈上下游互動發展,著力培育優勢骨干企業,推動產業結構升級。重點發展以下產品:

  (1)片式元器件。重點發展超小型片式多層陶瓷電容器,片式鋁電解電容器,片式鉭電容器,片式電感器,片式二、三極管,片式壓電陶瓷頻率器件,片式壓電石英晶體器件,集成無源元件等片式元器件。大力發展微波介質器件、聲表面波(SAW)器件、高頻壓電陶瓷器件、石英晶體器件、抗電磁干擾(EMT/EMP)濾波器等產品,滿足我國通信和視聽產品的研發和生產需求。

  (2)印刷電路板。研發高密度互連多層印刷電路板(HDI)、多層撓性板(FPC)和剛撓印刷電路板(R-FPC)、IC封裝載板、特種印刷電路板(背板、高頻微波板、金屬基板和厚銅箔板、埋置元件板、光電印制板和納米材料的印刷電路板)等產品。

  (3)混合集成電路。提高引進吸收再創新能力,重點突破通信、汽車、醫療等用途的混合集成電路,逐步替代進口,盡快實現產業起步。

  (4)傳感器及敏感元器件。重點發展高精度和高可靠性汽車傳感器,環境安全檢測傳感器,新型電壓敏、熱敏、氣敏等敏感元器件,光纖傳感器,MEMS傳感器等。

  (5)綠色電池。繼續支持發展大容量、高可靠性鋰離子電池和聚合物鋰離子電池;重點開發再生能源體系用低成本高效率太陽能電池(含薄膜太陽能電池);積極開發鎳氫動力電池與鋰離子動力電池。

  (6)新型電力電子器件。重點發展縱向雙擴散型場效應管VDMOS,絕緣柵雙極型晶體管IGBT,靜電感應晶體管系列SIT、BSIT、SITH,柵控晶閘管MCT,巨型雙極晶體管GTR等半導體電力電子器件。

  (7)新型機電組件。重點研發無刷智能微特電機;小型化、高密度、高頻化、抗干擾多功能新型接插件等產品。

  (8)光通信器件。重點發展高速光收/發模塊、光電耦合器、光有源器件、光電交換器件以及光無源器件和MEMS光開關等器件。

  (9)高亮度發光二極管。重點研發四元系高亮度紅、橙、黃發光二極管,藍色、綠色、紫色、近紫外GaN、SiC發光二極管,構建較為完整的LED產業鏈。

  產用結合發展電子材料產業

  加強國際合作,推動產用結合,突破部分關鍵技術,縮小電子材料與國外先進水平的差距。重點發展技術含量高、市場前景好的電子信息材料,提高國內自主配套能力。注重環保型電子材料的開發。

  (1)半導體材料。大力發展半導體級和太陽能級多晶硅材料;實現8-12英寸硅單晶及外延片的產業化;積極發展6英寸及以上SiGe、4~6英寸GaAs和InP等化合物半導體材料。重點支持面向國內6英寸及以上集成電路生產線所用的248nm及以下光刻膠、引線框架、金絲、超凈高純試劑以及8英寸及以上濺射靶材等材料。

  (2)新型顯示器件材料。積極發展TFT-LCD液晶材料、大尺寸基板玻璃、彩色濾光片、偏光板和背光模組等TFT-LCD材料;重點發展熒光粉、電極材料、介質材料、障壁材料等PDP關鍵材料;主要發展有機發光材料、隔離柱材料、Cr/ITO基板玻璃等OLED材料。

  (3)光電子材料。以高亮度發光材料為突破口,著重發展GaN、SiC等晶體及外延材料等。重點發展高功率激光晶體等材料。

  (4)磁性材料。重點發展粘結NdFeB永磁材料、納米復合永磁材料、低溫共燒材料和納米軟磁材料、巨磁致伸縮材料、磁致冷材料、電磁屏蔽材料、磁記錄材料、高檔永磁軟磁鐵氧體材料等市場前景好的材料。

  (5)電子功能陶瓷材料。重點研發和生產高性能高可靠片式電容器陶瓷材料、低溫共燒陶瓷(LTCC)材料及封裝陶瓷材料等。積極開展無鉛、無鎘等瓷料研究和生產,并開展納米基瓷料研究和生產。

  (6)電子封裝材料。重點發展先進封裝模塑料(EMC)、先進的封裝復合材料、高精度引線框架材料、高性能聚合物封裝材料、高密度多層基板材料等材料。

  電子專用設備要加大國際合作

  加大國際合作,加強共性基礎技術研究,突破部分關鍵技術,縮小電子專用設備和儀器、工模具與國外先進水平的差距。以數字電視和新一代移動通信等產業發展為契機,推動產品工藝與設備儀器開發相結合,促進產用結合。加強政策引導,加大政府投入,大力發展集成電路、平板顯示器件等重大技術裝備,鼓勵開發量大面廣的新型元器

件生產設備、表面貼裝和支持無鉛工藝整機裝聯設備,加大高性能測試儀器的研發力度。

  (1)半導體和集成電路專用設備。重點發展8-12英寸集成電路關鍵生產設備,包括光刻設備、刻蝕設備、CMP設備、薄膜生長設備、摻雜設備等芯片制造設備,鍵合設備、劃片機等封裝設備和專用模具以及材料制備設備。積極跟蹤化合物半導體技術,加快化合物半導體(GaAs、InP、GaN、SiC)制造設備的研發和產業化。

  (2)新型顯示器件專用設備。從TFT-LCD后工序設備入手,重點在TFT-LCD移載設備、清洗設備、摩擦線設備、COG設備和TFT薄膜沉積設備等方面形成配套能力;積極開展6代面板生產線陣列等前道工藝設備的研究開發,重點提高濕/干法刻蝕機、液晶灌注機等研制水平。加強高亮度LED關鍵制造設備、PDP關鍵設備和OLED生產設備和測試儀器的開發生產。

  (3)整機裝聯和新型電子元器件專用設備。重點突破全自動精密貼片機、大尺寸全自動精密印刷機、全自動插裝機、自動光學檢測設備(AOI)以及適應無鉛工藝的貼裝設備(如無鉛焊機等)等關鍵設備的研制。

  (4)電子測量儀器。重點發展高速數?;旌闲盘柤呻娐窚y試系統、邊界掃描測試系統、SoC測試系統和新型顯示器件參數測量儀器、新型電子元器件參數測試儀器、印制電路板各類測試儀器、大功率器件測試儀器、片式元器件生產線在線測試儀器系列等。重點開發綜合測試儀、網絡系統測試設備、路測儀等新一代移動通信測量儀器和測試系統以及光通信測試儀器。以音視頻產品由模擬向數字技術過渡為契機,重點發展數字電視研究開發、生產用的調試測試設備儀器。積極發展高性能通用測試儀器。




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