業界第一個商用TMBS整流器與傳統整流器電子應用的對比(08-100)
—— 業界第一個商用TMBS整流器與傳統整流器電子應用的對比
作者：Max Chen、Henry Kuo、L. C. Kao 、PJ Kung Vishay臺灣有限公司通用半導體功率二極管部門研發部
時間：2009-03-05
來源：電子產品世界
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圖2 沿半導體漂移區的TMBS與平面肖特基器件電場曲線的比較。左側的X軸是硅表面，這里形成了肖特基勢壘
Vishay發布的所有100 V、120 V、150 V和200 V TMBS整流器都采用了淺溝道(最深2.1 um)和薄氧化物厚度(最厚0.3 um)，它可以大幅度縮短溝道蝕刻制造所需的處理周期時間，因此可以提高制造工藝的吞吐量。
器件特征描述
本部分將僅涉及100 V和200 V TMBS整流器的器件特征描述，但是其結論可適用于其他電壓的TMBS器件。
40 A/100 V TMBS的特征
與傳統60 A整流器相比，40 A/100 V TMBS器件顯示出了改善的正向壓降性能，如圖3a和3b所示。
圖3a和3b TMBS和傳統平面肖特基整流器的正向電壓比較
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