經過近些年發展，超級電容的體積越做越小，品質越來越穩定，性能越來越像電池。目前，5F以上的超級電容已經開始應用于許多便攜式和手持式產品中，有些甚至替代了電池。在汽車領域更是發展迅猛，由于充電時間短，電解質材料環保等因素，很多制造商對超級電容作為混合動力汽車的電力能源來源寄予厚望，希望超級電容早日從概念車上轉至通用車輛中。

　　近期麻省理工學院實驗室的數據表明，在未來幾年內，超級電容的能量儲存能力將出現質的飛躍。目前的超級電容產品放電速度是傳統電池的10倍，而能量儲存能力在體積相同的條件下則只有后者的50%。這一不利局面將在未來幾年內得到扭轉。屆時，超級電容將真正進入一個更為廣闊的應用領域。

　　隱藏在電路中多年的第四類元件——憶阻器

　　兩篇時隔三十七年的論文

　　基礎電子學教科書列出了三種基本的電路元件：電阻器、電容器和電感器。現在隨著第四類元件的發現與證實，傳統的觀念正在發生轉變。

　　早在1971年，美國加州大學伯克利分校的華裔科學家蔡少棠教授就發表了題為《憶阻器：下落不明的電路元件》的論文，論文指出，除電容、電感和電阻之外，電路中還應該存在第四種基本元件——憶阻器。這篇論文提供了憶阻器的原始理論架構，推測電路有天然的記憶能力，即使電力中斷亦然。概括來說，憶阻器是一種有記憶功能的非線性電阻。通過控制電流的變化可改變其阻值，如果把高阻值定義為“1”，低阻值定義為“0”，則這種電阻就可以實現存儲數據的功能。不過這一發現在當時并未引起重視。因此，就像這篇論文的標題一樣很快就“下落不明”了。

　　一隔近40年，憶阻器的存在一直無人去證實。直到去年，來自惠普實驗室下屬的信息和量子系統實驗室的4位研究人員，證實了憶阻現象在納米尺度的電子系統中確實是天然存在的，他們以《尋獲下落不明的憶阻器》為論文標題來呼應蔡教授的預測。在這樣的系統中，固態電子和離子運輸在一個外加偏置電壓下是耦合在一起的。這一發現可幫助解釋過去50年來在電子裝置中所觀察到的明顯異常的回滯電流—電壓行為的很多例子。

　　研究人員表示，憶阻器器件的最有趣特征是它可以記憶流經它的電荷數量。蔡教授原先的想法是：憶阻器的電阻取決于多少電荷經過了這個器件。讓電荷以一個方向流過，電阻會增加;如果讓電荷以反向流動，電阻就會減小。簡單地說，這種器件在任一時刻的電阻是時間的函數———或多少電荷向前或向后經過了它。這一簡單想法的被證實，將對信息技術科學產生深遠的影響。

　　憶阻器將變革存儲方式

　　科學家指出，只有在納米尺度上，憶阻的工作狀態才可以被察覺到。憶阻器最簡單的應用就是構造新型的非易失性隨機存儲器，或當計算機關閉后不會忘記它們曾經所處的能量狀態的存儲芯片。電腦會回到你關閉時的相同狀態。同樣原理，憶阻器可讓手機在使用數周或更久時間后無需充電，也可使筆記本電腦在電池電量耗盡后很久仍能保存信息。憶阻器也有望挑戰目前數碼設備中普遍使用的閃存，因為它具有關閉電源后仍可以保存信息的能力。利用這項新發現制成的芯片，將比目前的閃存更快地保存信息，消耗更少的電力，占用更少的空間。概括一下憶阻器的應用前景：如果憶阻器夠快，那么DRAM、Flash進博物館;如果憶阻器成本夠低，那么溫徹斯特硬盤就得進博物館。