ALM-1912在射頻輸入引腳上內置有分流電感來強化ESD保護，讓器件可以在射頻輸入引腳承受超過3kV人體模型(HBM, Human Body Model)的ESD靜電衝擊，通過將GPS低噪聲放大器以及前置和後置高抑制能力FBAR濾波器加以集成，這款高性能ALM-1912模塊可以簡化並縮短射頻設計流程，節省使用的器件數，並帶來GPS應用中非常關鍵的卓越射頻性能。

　　功能特點

• 1.62dB超低噪聲指數
• FBAR前置濾波器提供卓越的Cell/PCS/WLAN頻帶拒斥能力，強化手機效能表現
• 低外加器件數
• 射頻輸入和輸出完全匹配
• 關機電流< 1μA
• CMOS電平兼容關機引腳
• 射頻輸入引腳ESD保護> 3KV
• 可通過單一外部電阻或電壓調整偏壓電流
• 內置分流電感強化ESD保護
• 采用先進的GaAs E-pHEMT和FBAR技術
• 采無鹵素材料設計
• 采用 Pb-Free 環保無鉛設計并符合 RoHS 標準要求