- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平臺采用IR的新一代溝道柵極場截止技術，為工業及節能應用提供卓越性能。
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IR Gen8 IGBT
- 摘要：針對并聯有源電力濾波器在運行過程中會多次出現IGBT爆炸的問題，經過實驗分析了IGBT的過電壓形成過程。鑒于IGBT的關斷時間極短，連接導線上寄生的微小雜散電感在高頻開關的作用下會產生尖峰過電壓，并與原有電
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SAPF IGBT 過電壓 寄生電感
- 據IHS iSuppli公司的電源管理市場追蹤報告，今年全球電源管理半導體市場預計大幅萎縮6%，主要歸因于全球消費市場明顯疲軟。電源管理半導體對于各類設備節省能源至關重要。
2012年電源管理芯片營業收入預計從去年的318億美元降至299億美元。相比之下，去年該產業在2010年314億美元的基礎上小幅增長1.5%。
明年該市場將恢復增長，預計上升7.6%至322億美元，略高于去年的水平。對于電源管理半導體產業來說，7.6%的增幅相當一般。繼明年之后接下來的三年，市場將保持溫和增長，2016
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IHS 電源管理 半導體 IGBT
- 國內外大多數光伏發電系統是采用功率場效應管MOSFET構成的逆變電路。然而隨著電壓的升高，MOSFET的通態電阻也 ...
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IGBT 光伏發電 逆變電路
- 斬波是電力電子控制中的一項變流技術，其實質是直流控制的脈寬調制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內饋調速控制中占有極為重要的地位，它不僅關系到調速的技術性能，而且直接影響設備的運行安全和
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IGBT 大功率 斬波
- 應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。
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安森美 IGBT
- 中心論題：由于汽車環境的復雜多變，EV和HEV中的IGBT模塊要經受嚴峻的熱和機械條件(振動和沖擊)的考驗在功率循環、熱循環、機械振動或機械沖擊試驗中IGBT模塊會出現的一些典型的故障模式廠商推出用于HEV的高可靠性IG
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IGBT 汽車應用 功率模塊
- 中心論題：IGBT是一種復合全控型電壓驅動式電力電子器件。驅動電路M57962L簡介。M57962L的工作原理。解決方案：一個2.5V～5.0V的閥值電壓使IGBT對柵極電荷集聚很敏感。檢測管壓降VCE的大小可識別IGBT是否過流。封閉性
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M57962L IGBT 驅動電路
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF，以此拓展絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 系列。全新600V超高速溝道IGBT能夠為洗衣機和冰箱等家電與輕工業電機驅動應用提升性能及效率。
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IR 電機驅動器 IGBT
- 致力于能源、安全、可靠性與高性能領域，全球領先的半導體供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)系列的三款IGBT新產品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。
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美高森美 IGBT
- 全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)已經擴充其短路額定IGBT產品組合，為電機驅動設計者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關重要的三相電機驅動應用。
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飛兆 IGBT 電機驅動
- 1 概述高爐冶煉中產生大量的熔渣，通常是用大流量的中壓水將其降溫并沖散，同時輸送到水渣池回收，作為煉鐵的副產品.高爐生產是不間斷的，一般情況下每天出鐵15次，出鐵前、后各放一次渣，兩次出渣時間共約30 min.在
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系統 應用 水沖渣 高爐 高壓 變頻器 IGBT
- 第三季度的營收額為9.9億歐元，與上個季度大體持平;營業利潤為1.26億歐元(利潤率為12.7%); 2012年第四季度業績展望確認：營收額穩中有降;營業利潤率大約為12%; 2013財年的計劃投資額大大低于2012財年
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英飛凌 汽車電子 IGBT
- 電源轉換電路經常被應用在馬達驅動器或可再生能源的功率轉換上，設計中包括可以將直流電壓轉換為交流電壓的電源轉換器，以便用來推動馬達或連接到可再生能源系統的電網(圖1)。
圖1，交流-直流-交流轉換器功能框圖。
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IGBT 保護 馬達驅動器 可再生能源
- 標簽：功率器件 IGBT功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應，過載，短路等條件所造成的損害。本在線研討會介紹了為何光耦柵極驅動
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