- 在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼
在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
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NAND 存儲芯片
- TDK公司日前宣布開發出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計劃于五月份開始銷售。
TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達95MB/S的高速訪問。該產品支持2KB/頁和4KB/頁結構的SLC(單層單元)內存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應用領域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器，到視聽設
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TDK NAND
- 在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產品市場將在今年剩余時間內增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業收入合計將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。
圖4所示為iSuppli公
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iSuppli NAND DRAM
- 針對NAND閃存產業，研究機構集邦科技最新研究報告指出，三星可望穩居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產，市場占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。
集邦科技根據各NAND Flash供貨商目前的制程技術、產能、營運狀況分析指出，三星因擁有較大產能，同時制程持續轉往42納米及3x納米，預期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯盟的產能利用率略降，但制程技術也將轉往 43納米及32納米，預期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。
集邦科技表示，市場占有率第三和第
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海力士 NAND 晶圓
- 4月15日消息 據韓國媒體報道 蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單，要求供應7000萬顆NAND型閃存芯片，用于生產iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發蘋果可能推出新一代iPhone的聯想
韓國時報指出，有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果，而海力士也將供應2000萬顆。”
部分分析師認為，蘋果這次大規模訂單，將刺激韓國芯片廠商業績，同時，也有助于全球芯片產業早日復蘇。
分析師還指出，N
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三星 NAND 芯片
- IBM的技術專家Geoff Burr曾說過，如果數據中心的占地空間象足球場那么大，而且還要配備自己的發電廠的話，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而，如果首席信息官們現在不定好計劃將他們的數據中心遷移到固態技術平臺的話，那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。
這并非危言聳聽，過去的解決方案現在已經顯露出存儲性能和容量不足的現象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業只需在數據中心添加更多的傳統硬盤就可以了，而且那樣做也很方便。現在，Geoff Burr在2008年發表的一
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IBM NAND 固態存儲
- 美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無灰化清洗技術的ZETA?清洗系統擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估。客戶
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FSI NAND 存儲器
- 全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無灰化清洗技術的ZETA清洗系統擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估。客戶對制造過程中無灰化光刻膠剝離法、實現用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
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FSI 半導體 NAND
- 3月21日消息，內存廠商預計Windows 7的將推動NAND閃存芯片的需求，因為這種新的操作系統為利用固態硬盤進行了優化。在當前的市場不確定的情況下，優化固態硬盤以便適應Windows 7已經成為固態硬盤廠商和筆記本電腦廠商的重點。
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閃存 NAND 芯片
- 集邦科技(DRAMeXchange)表示，2月下旬NAND Flash(閃存)合約價格呈現上揚，現貨價格方面卻已經開始下跌；然而，目前現貨市場仍處于多空未明狀態，觀望氣氛濃厚，買家不敢貿然搶進。
集邦表示，2月下旬主流MLC NAND Flash合約均價約上漲8%到36%，SLC合約價則維持平盤，價格上漲的主要原因是今年首季國際大
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集邦 NAND Flash
- 市調機構DRAMeXchange指出，2008年NAND Flash品牌廠商公布去年第四季暨全年營收排名出爐，SAMSUNG以46億1千4百萬美元，市占率為40.4％，蟬聯第一寶座 觀察2007年與2008年NAND Flash品牌市場變化，2007年品牌廠商全年營收約為133億6千8百萬美元，2008年則為114億1千8百萬美元，年營收下跌14.6％，2008年平均銷售價格較2007年下跌63％。
Toshiba以全年營收為32億5百萬美元，市占率28.1％排名居次，比2007年的
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三星 NAND
- 2006年初，美光科技公司與英特爾公司的合作企業IMFlashTechnologies公司(IMFT)在市場上閃亮登場。通過整合I...
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NAND 閃存 技術細節 位密度 多晶硅
- 12月25日消息，據臺灣媒體報道，NAND Flash12月下旬合約價出爐，終止先前下跌趨勢，至少都以平盤以上開出，主流規格晶片漲幅更在16%以上，隨價格回穩走揚，將有助創見、威剛、群聯等模組業者降低庫存跌價損失壓力。
業者指出，這次NAND Flash價格止跌回穩，主要是反應日本東芝與韓國海力士減產效益，隨晶片廠對力保價格不跌有了堅定共識，也意味NAND Flash回穩態勢已逐步確立。
根據集邦科技昨日最新報價，NAND Flash12月下旬合約價都以平盤以上開出，其中以16Gb主流規格
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NAND
- 東芝宣布，削減30%的閃存芯片產量，以應對需求降低，庫存增加的考驗。
東芝還說，位于日本四日市的四家工廠本月將停工17天，以降低內存卡與MP3播放器的產量。
東芝在一份聲明中說：“全球經濟不景氣以及消費低迷正在對半導體需求產生嚴重沖擊。尤其是NAND閃存芯片，由于使用這種芯片的MP3播放器供應過剩，其需求大幅下降。東芝慎重考慮了這種情形，決
定降低四日市工廠的產量。”
東芝在四日市有兩家300毫米晶圓工廠以及兩家200毫米晶圓工廠。300毫米晶圓廠將停工
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NAND
- 國務院發展研究中心國際技術經濟所研究員吳康迪
遵循“摩爾定律”的指引，全球半導體巨頭正邁向32納米工藝；不過，其研發策略卻各不相同。
全球32納米芯片微細技術開發主要有3個陣營，參加單位數目最多的是IBM陣營，其次是英特爾公司，第三是日本公司，此外還有中國臺灣地區的臺積電、歐洲比利時微電子中心IMEC等。
英特爾技術業界領先
2007年9月，英特爾公司領先業界在“開發者論壇”首次展出了32納米工藝的測試
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32納米 英特爾 NAND
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