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三星 sdi 文章 最新資訊

三星開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片

  • 　　三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬 是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。 　　即便將這種芯片應用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤等設備。 　　另外一款
  • 關鍵字： 三星  30nm  NAND  

三星擬明年投資60億美元擴大芯片業(yè)務

  • 　　北京時間12月2日消息，據(jù)國外媒體報道，《韓國先驅(qū)報》援引匿名消息人士的話報道稱，三星2010年計劃投資約7萬億韓元(約合60億美元)擴大芯片業(yè)務。 　　消息稱，其中約5萬億韓元(約合43億美元)將用于擴大DRAM芯片業(yè)務，2萬億(約合17億美元)韓元將用于擴大NAND閃存和邏輯芯片業(yè)務。 　　三星2010年芯片投資將比2009年的4萬億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發(fā)布第三季度財報時，三星曾表示明年芯片投資將超過5.5萬億韓元(約合47億美元)。
  • 關鍵字： 三星  NAND  邏輯芯片  DRAM  

三星電子2020年銷售額目標4000億美元

  • 　　三星電子日前發(fā)表了“暢想世界、創(chuàng)新未來”，同時制定了2020年銷售額4000億美元，力爭成為最大的IT企業(yè)、全球10大企業(yè)、品牌價值全球前5、最受尊敬企業(yè)全球前10、綠色環(huán)保前列企業(yè)等目標。 　　該目標是在本月初三星電子成立40周年的紀念活動上發(fā)表的。三星電子CEO李潤雨在致詞中表示：“在公司成立40周年之際，讓我們向成為百年超一流企業(yè)的新目標挑戰(zhàn)!”三星電子為實現(xiàn) vision2020，制定了三大戰(zhàn)略方向，分別為：實現(xiàn)新技術先導、新市場創(chuàng)出、新生活方
  • 關鍵字： 三星  電子  

某閃存廠商指控蘋果在閃存市場上“欺行霸市”

  • 　　近日，有某匿名廠商指控蘋果在NAND閃存市場上“欺行霸市”，威逼閃存廠商。該廠商指蘋果經(jīng)常向韓系三星，海力士等廠商超額訂貨。《韓國時報》還報道稱蘋果經(jīng)常采取等待閃存由于供過于求而出現(xiàn)價格下降時，才采購少量閃存的采購策略，這很容易導致閃存廠商的庫存再次出現(xiàn)積壓現(xiàn)象。 　　由于海力士與三星兩家廠商的閃存業(yè)務對蘋果依賴甚大，因此他們對蘋果的這種策略可謂敢怒不敢言，只好被迫接受蘋果將簽訂的長期訂貨協(xié)約價下調(diào)4%。這家未具名廠商的高管指這種行為“極為不合理”。
  • 關鍵字： 三星  NAND  

三星宣布開始量產(chǎn)兩種30nm制程NAND閃存芯片

  • 　　三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。 　　即便將這種芯片應用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤等設備。 　　另外一款三
  • 關鍵字： 三星  30nm  NAND  

三星否認欲購并英飛凌

  • 　　新聞事件： 　　三星表示無意購并英飛凌 　　市場上流傳的購并傳聞并不屬實 　　全球最大存儲器制造商三星電子(Samsung Electronics)發(fā)言人James Chung表示，三星無意購并英飛凌(Infineon)，市場上流傳的購并傳聞并不屬實;此外，英飛凌表示不愿針對市場臆測發(fā)表評論。 　　日前市場傳出英飛凌將遭三星購并的消息，造成英飛凌股價上揚，然三星迅速出面否認購并的可能性。 　　英飛凌為德國半導體大廠，日前遭遇財務困難以2.43億歐元(約3.65億美元)將有線通訊事業(yè)賣給私募基
  • 關鍵字： 三星  存儲器  

三星否認有意收購德國英飛凌

  • 　　11月25日消息，韓國三星電子周三表示，對德國芯片廠商英飛凌沒興趣，關于有意與英飛凌討論并購一事也不正確。
  • 關鍵字： 三星  芯片  英飛凌  

09年半導體市場下滑幅度小于預期，三星表現(xiàn)出色

  • 　　全球半導體產(chǎn)業(yè)2009年幾乎沒有什么值得高興的事情，營業(yè)收入預計下降12.4%，且10大供應商中只有一家實現(xiàn)增長。但是，飽受打擊的芯片制造商還有一點可聊以自慰：情況沒有變得更糟糕。 　　“2009年營業(yè)收入比2008年銳減320多億美元，它將作為全球半導體行業(yè)史上最糟糕的年份之一留在人們的記憶之中，”iSuppli公司的高級副總裁Dale Ford表示，“但iSuppli公司下滑12.4%的初步估計，遠遠好于2009年初預期的暴跌逾20%。” 　　&
  • 關鍵字： 三星  半導體  

手機內(nèi)存：NAND優(yōu)勢愈加明顯，NOR風光不再

  • 　　市場研究機構水清木華日前發(fā)布"2009年手機內(nèi)存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多.手機市場變化迅速,現(xiàn)在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢"長壽"也不復存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion.而NAND領域,三
  • 關鍵字： 三星  NAND  NOR  RAM  

三星加速制程微縮　DRAM進入40納米世代

  • 　　三星電子(Samsung　Electronics)加速制程微縮，積極導入40納米制程，第4季已開始小幅試產(chǎn)DDR3，預計2010年下半40納米將成為主流制程，成本結(jié)構再度領先競爭同業(yè)，而美光 (Micron)陣營50納米制程2010年大量產(chǎn)出，爾必達(Elpida)也將導入Extra 65納米制程，之后跳40納米制程，2010年全球DRAM產(chǎn)業(yè)成本進一步下滑。 　　三星目前56納米制程DRAM產(chǎn)能比重超過一半，并已開始小量采用新一代的40納米制程生產(chǎn)DDR3芯片，成本結(jié)構再度領先同業(yè)，市調(diào)機構預估，
  • 關鍵字： 三星  40納米  DRAM  

三星電子將耗資87億美元擴大LCD產(chǎn)能

  • 　　根據(jù)彭博報導，全球最大液晶面板廠韓國三星電子(Samsung Electronics)計劃以10兆韓元 (折合87億美元)，投入韓國Tangjung廠，以擴大面板生產(chǎn)。 　　三星發(fā)言人James Chung今天接受電話訪問，證實東亞日報相關報導。他指出，三星將于2011年至2015年進行投資，藉此擴大液晶顯示器(LCD)生產(chǎn)。
  • 關鍵字： 三星  液晶面板  

三星斥資13億美金獲高通15年專利使用權

  • 　　三星近日斥資13億美元,以獲得未來15年使用高通在CDMA、WCDMA和OFDMA方面專利的權利。 　　三星在提交給首爾證券交易所的聲明中稱,三星通過支付預付款來獲得使用高通在無線技術包括CDMA方面技術的許可,此外三星還將授權高通使用其在移動技術方面57%的專利,技術交叉許可協(xié)議中包括使用在手持設備和基站的4G無線技術。 　　由于三星和高通剛剛修訂了兩家公司特許權使用費的相關條款,所以三星本次支付的專利授權使用費較以往大大降低。據(jù)悉,根據(jù)三星與高通協(xié)議,三星將支付13億美元來獲得使用高通在CDM
  • 關鍵字： 三星  CDMA  OFDMA  移動技術  

三星加大半導體制程技術研發(fā)力度

  • 　　韓國三星公司最近顯著加大了邏輯芯片制造技術的研發(fā)力度，該公司最近成立了新的半導體研發(fā)中心，該中心將與三星現(xiàn)有的內(nèi)存芯片制程技術研發(fā)團隊一起合作， 進行新半導體材料，晶體管結(jié)構以及高性能低功耗半導體技術的研發(fā)。另一方面，三星旗下的芯片廠除了正在積極準備45nm制程芯片的量產(chǎn)，同時作為IBM技 術聯(lián)盟的一員，也在積極研發(fā)下一代32nm/28nm制程技術. 　　三星表示，新研發(fā)中心與現(xiàn)有的內(nèi)存芯片制程技術研發(fā)團隊的強強組合，將極大推動三星半導體制程技術的發(fā)展速度，有助于提升三星Hig-K，3D晶體管以及極
  • 關鍵字： 三星  內(nèi)存芯片  

三星宣布新層疊封裝技術 8層僅厚0.6mm

  • 　　三星公司今天宣布，該公司已經(jīng)成功開發(fā)出了全球最薄的Multi-die堆疊封裝技術，將8顆閃存晶片(Die)層疊封裝在一顆芯片內(nèi)，厚度僅為0.6mm，比目前常見的8層封裝技術厚度降低一半。三星的這項技術最初是為32GB閃存顆粒設計的，將8顆30nm工藝32Gb NAND閃存核心層疊封裝在一顆芯片內(nèi)，每層晶片的實際厚度僅為15微米，最終封裝完成的芯片才實現(xiàn)了0.6mm的厚度。據(jù)稱這樣的超薄大容量閃存芯片可 以讓手機和移動設備設計者在存儲模塊上節(jié)省40%的空間和重量。 　　三星稱，這項層疊封裝新技術的關鍵
  • 關鍵字： 三星  封裝  Multi-die  

集邦：全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營收季增率高達40.7％

  • 　　根據(jù)調(diào)查，今年第三季，DDR3在計算機系統(tǒng)廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下，需求量激增，DDR3合約價在第三季大漲36%，現(xiàn)貨價也在合約價的帶動下上漲24%。DDR2方面，由于DDR3合約價格大漲，亦帶動DDR2合約價格的漲勢，且在第三季國際DRAM大廠轉(zhuǎn)進DDR3相當積極，導致DDR2出貨量減少效應持續(xù)發(fā)酵，部份PC OEM廠商亦已逆向操作增加DDR2的庫存水位，使得本季DDR2合約價漲幅高達31%、現(xiàn)貨價格漲幅亦高達30%，漲幅與DDR3不惶多讓。 　　第三季各DRAM廠商營收在DDR3合約價
  • 關鍵字： 三星  DRAM  DDR3  DDR2  
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三星 sdi介紹

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