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低漏電 文章 最新資訊

中芯國際和Virage Logic拓展伙伴關系至40納米低漏電工藝

  • 　　備受半導體產業信賴的IP供應商Virage Logic公司 和中國最先進的半導體制造商中芯國際集成電路有限公司(中芯國際，紐約證券交易所交易代碼：SMI，香港聯交所交易代碼：0981.HK)日前宣布其長期合作伙伴關系擴展到40納米(nanometer)的低漏電(low-leakage)工藝技術。Virage Logic 公司和中芯國際從最初的130納米工藝合作起便為雙方共同的客戶提供具高度差異的 IP，涵蓋的工藝廣泛還包含90納米以及65納米。根據協議條款，系統級芯片(SoC)設計人員將能夠使用 Vi
  • 關鍵字： 中芯國際  40納米  低漏電  

中芯國際攜手Synopsys拓展65納米低漏電工藝技術

  • 　　Synopsys 5月19日宣布開始提供用于中芯國際65納米低漏電工藝技術的新思科技經硅驗證的和獲得USB標志認證的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知識產權(IP)。在65nm技術日漸成為先進IC產品市場主導的今天，中芯的這一舉措有助于其進一步拓展65nm產品線，快速量產65納米低漏電工藝，加快客戶的產品上市時間。 　　DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP專為各種高市場容量移動和消費電子應用而設計的，這些應用的關鍵要求包括要實現面積最小、低動態和泄
  • 關鍵字： 中芯國際  65納米  低漏電  
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