什么是MOS的體效應（body bias）

• 通常，我們將MOS管視為一個三端器件，包括柵極、源極和漏極。然而，襯底是其隱藏的第四個端子。下圖為一個nMOS，g、s、d、b分別代表柵極、源極、漏極和襯底。上圖為以nMOS為例，簡述其關斷、線性區和飽和的條件絕大多數情況下，設計將襯底和源極連在一起，但是有時候出于性能考慮（如在芯片工作模式下實現高Ion和在芯片睡眠模式下實現低Ioff）會通過施加體偏置來動態調整晶體管的閾值電壓。大多數情況下我們將閾值電壓（Vt）視為常數。然而，Vt隨源極電壓的增加而增加，隨襯底電壓的增加而減小，隨漏極電壓的增加而減小，
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