- 在Galaxy S6搭載最高128GB儲存容量后，三星似乎也計畫讓更多手機也能享有大容量，稍早宣布將推出以eMMC 5.0技術為基礎，同時最高儲存容量達128GB的3-bits-per-cell NAND Flash儲存元件，并且對應每秒達260MB讀取速度表現，預期將使中階規格以下手機產品，以及多數存儲卡產品能在成本預算內有更大儲存容量選擇。
根據三星公布消息，預計將推出以eMMC 5.0技術為基礎，同時最高儲存容量達128GB的3-bit NAND Flash儲存
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三星 儲存元件
儲存元件介紹
存儲元件
計算機中主存儲器包括存儲體M，各種邏輯部件及控制電路等，存儲體由許多存儲單元組成，每個存儲單元又包含若干個存儲元件，每個存儲元件能寄存一位二進制代碼“0”或“1”，存儲元件又稱為存儲基元、存儲元。一個存儲單元存儲一串二進制代碼（存儲字），這串二進制代碼的位數稱為存儲字長，存儲字長可以是8位、16位、32位等，如果把一個存儲體看做是一幢大樓，存儲單元看做是大樓里的每個房間，那么每 [
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