檢測硅通孔與堆疊芯片中的關(guān)鍵缺陷

• 核心要點采用硅通孔（TSV）和混合鍵合技術(shù)的多芯片集成封裝中，工藝偏差正成為愈發(fā)嚴(yán)峻的問題。此類器件的檢測需要多模態(tài)檢測方法相結(jié)合。人工智能在提升缺陷捕獲率、區(qū)分致命缺陷與假陽性缺陷方面發(fā)揮著重要作用。堆疊芯片中采用硅通孔和混合鍵合的新型器件互連方式，呈現(xiàn)出高度的工藝偏差特性，這讓傳統(tǒng)的缺陷檢測流程變得復(fù)雜。由于這些先進封裝架構(gòu)尚未成熟，相比以往，確定最優(yōu)的檢測方法也更具挑戰(zhàn)性。封裝技術(shù)的多元化發(fā)展，使得需要表征的缺陷數(shù)量和類型不斷增加，包括空洞、殘留物、薄膜不連續(xù)以及圖形對準(zhǔn)偏差等，而這些缺陷又會進一步
• 關(guān)鍵字： 硅通孔  堆疊芯片  關(guān)鍵缺陷